Изменение - толщина - база
Cтраница 1
Изменение толщины базы влияет на условия работы эмиттерного перехода. [1]
 |
Зависимость изменения распределения дырок в области базы от изменения толщины коллекторного перехода при постоянном напряжении на эмиттерном переходе. [2] |
Изменение толщины базы при этом не должно привести к изменению начальной концентрации. Так как принятые граничные условия остаются в силе, то в этом случае произойдет изменение плотности дырочного тока за счет изменения градиента концентрации при неизменной концентрации дырок у эмиттера ( рис. VI. Изменение величины тока через переход при неизменном напряжении на переходе также может быть отождествлено с изменением сопротивления перехода. [3]
 |
Влияние модуляции толщины базы на входные величины. [4] |
Во-первых, изменение толщины базы влияет на ту долю инжектированных дырок, которая доходит до коллектора, избежав рекомбинации. [5]
Во первых, изменение толщины базы влияет на ту долю инжектированных дырок, которая доходит до коллектора, избежав рекомбинации. [6]
Необходимо также учесть изменение толщины базы из-за изменения напряжения на коллекторном переходе. При увеличении напряжения толщина базы уменьшается. [7]
Изменение заряда доноров 2Д связано с изменением толщины базы или, что то же самое, ширины переходов. [8]
Изменение заряда доноров Qx связано с изменением толщины базы или, что то же самое, ширины переходов. [9]
Появление этого компонента вызвано тем, что при изменении толщины базы за счет напряжения на коллекторе меняется градиент концентрации дырок в области базы, а следовательно, и диффузионный ток. [10]
Модуляция толщины базы в биполярном транзисторе), или эффект Эрли, - изменение толщины базы при изменении значения обратного напряжения, приложенного к коллекторному переходу. При увеличении обратного напряжения электроны в n - области и дырки в р-об-ласти сильнее оттягиваются отр-п-пе-рехода и толщина запирающего слоя возрастает. Распространение границы запирающего слоя в область базы приводит к уменьшению толщины рабочей части базовой области. [11]
 |
Зависимость изменения распределения дырок в области базы от изменения толщины коллекторного перехода при постоянном токе эмиттера. [12] |
Рассмотрение влияния изменения ширины области объемного заряда коллекторного перехода и связанного с ним изменения толщины базы на работу эмиттерного перехода в общем случае весьма сложно и будет дано при решении уравнения диффузии в приложении к гл. [13]
Это также приводит к изменению градиента концентрации дырок в базе, но в сравнительно небольшой степени, так как изменение толщины базы обычно относительно невелико. [14]
В связи с тем, что коллекторный переход практически сосредоточен в области базы, изменения толщины коллекторного перехода при изменениях напряжения на коллекторе приводят к изменению толщины базы. Изменение толщины базы транзистора в результате изменения толщины слоев пространственного заряда электрических переходов лри изменении напряжения на них называется модуляцией толщины базы. [15]
Страницы: 1 2