Изменение - толщина - база
Cтраница 2
В связи с тем, что коллекторный переход практически сосредоточен в области базы, изменения толщины коллекторного перехода при изменениях напряжения на коллекторе приводят к изменению толщины базы. Изменение толщины базы транзистора в результате изменения толщины слоев пространственного заряда электрических переходов лри изменении напряжения на них называется модуляцией толщины базы. [16]
Если зависимость коэффициента поглощения от длины волны слабая, как, например, в кремнии, то эффект уменьшения проникновения квантов света в глубь полупроводника и увеличения роли поверхностной рекомбинации будет сказываться слабее с уменьшением длины волны. Поэтому максимум спектральной характеристики может смещаться при изменении толщины базы и скорости поверхностной рекомбинации. [17]
 |
Изменение заряда, накопленного в базе вследствие Смещения границы коллекторного перехода.| Высокочастотная малосигнальная модель транзистора. [18] |
Для того чтобы учесть эти токи, модель транзистора должна быть дополнена емкостями переходов Сьэ и СЬк. Кроме того, изменение толщин переходов при изменении напряжений сопровождается изменением толщин базы. Модуляция толщины базы в основном определяется модуляцией толщины коллекторного перехода, изменяющегося в довольно широких пределах. [19]
Ктах 1 55 мкм для Ge) и от толщины базы практически не зависит. Если же зависимость глубины поглощения хо от длины волны слабая, как, например, в кремнии, то максимум спектральной характеристики может смещаться при изменении толщины базы и скорости поверхностной рекомбинации. [20]
У дрейфового транзистора кроме диффузионного тока в базе течет и дрейфовый ток, создаваемый полем базы. Распределение концентрации неравновесных носителей в базе дрейфового транзистора имеет вид, показанный на рис. 3 - 7, в. В этом транзисторе изменение толщины базы влияет на состояние эмиттерного перехода значительно слабее, чем у бездрейфового. Поэтому толщина базы у дрейфового транзистора при изменении режима практически остается неизменной. [21]
Эмиттерный переход включен в прямом направлении, его ширина мала и изменения ее при колебаниях выходного напряжения не влияют на работу триода. Ширина коллекторного перехода, включенного в непропускном направлении, гораздо больше; этот переход почти весь расположен в области базы, имеющей значительное объемное сопротивление. Поэтому - изменение ширины коллекторного перехода, происходящее из-за отклонений выходного напряжения, вызывает практически равное приращение толщины базы, а изменения толщины базы ] заметно влияют на ток и напряжение на эмиттерном переходе. Следовательно, в реальном триоде, помимо обратной связи по току, существует обратная связь по напряжению. [22]
Положение максимума на спектральной характеристике фотодиода сильно зависит от спектральной характеристики коэффициента поглощения материала фотодиода. Если глубина поглощения хо резко уменьшается с уменьшением длины водны падающего света, как, например в германии ( см. рис. 2.4), то положение максимума определяется шириной запрещенной волны ( А 1 55 мкм для Ge) и от толщины базы практически не зависит. Если же зависимость глубины поглощения хо от длины волны слабая, как, например, в кремнии, то максимум спектральной характеристики может смещаться при изменении толщины базы и скорости поверхностной рекомбинации. [23]
Страницы: 1 2