Cтраница 1
Большие интегральные схемы с плотностью размещения компонентов до десятков тысяч транзисторов в кристалле позволяют значительно повысить эффективность управляющих цифровых систем. В то же время осуществление логических устройств на БИС характеризуется сложностью выполнения соединений между активными компонентами БИС. Это приводит к разработке узкоспециализированных и заказных БИС, что значительно повышает стоимость устройств с жесткой структурой. [1]
Большая интегральная схема ( БИС), способная выполнять функции центрального процессора. [2]
Большие интегральные схемы, имея в своем составе несколько тысяч компонентов, уже не являются функциональным элементом в полном смысле этого слова ( покупным изделием), а являются неотъемлемой частью проектируемого изделия. Для многих изделий приборостроения разработка таких специализированных БИС является оправданной и экономически целесообразной. [3]
Большие интегральные схемы ( БИС) обычно строятся на работающих в режиме обогащения полевых МОП-транзисторах одной полярности. Это позволяет сократить несколько стадий технологического процесса по сравнению с КМОП-технологией и обеспечить более высокую плотность размещения элементов в кристалле, чем при биполярной или КМОП-технологии. Поскольку такие БИС имеют широкое распространение, необходимо знать, как сопрягаются меЖДУ собой элементы МОП и ТТЛ ( или КМОП) и как входы и выходы МОП элементов соединяются с внешними схемами на дискретных компонентах. [4]
Большая интегральная схема, выполняющая функции центрального процессора. [5]
Большие интегральные схемы ( БИС) широко применяют при построении микропроцессоров ( МП) - программно-управляемых устройств для обработки цифровой информации. Совокупность МП и других интегральных микросхем, совместимых по конструктивно-технологическому исполнению и предназначенных для совместного применения, образует микропроцессорный комплект. К классу МП-систем относят микроЭВМ, состоящие из микропроцессора, запоминающих устройств на полупроводниковых элементах и устройств связи с периферийной аппаратурой. [6]
Большие интегральные схемы - оставлен в объеме первого издания книги по той причине, что подготовленный авторами новый материал по вопросам проектирования и применения БИС оказался обширным, своеобразным и может быть представлен в виде отдельной монографии. [7]
Большая интегральная схема ( БИС) - полупроводниковая интегральная схема с высокой степенью интеграции, имеющая, как правило, многоуровневую коммутацию элементов. [8]
Большая интегральная схема представляет собой сложную полупроводниковую микросхему с высокой степенью интеграции. [9]
Большие интегральные схемы с плотностью размещения1 компонентов до десятков тысяч транзисторов в кристалле позволяют значительно повысить эффективность управляющих цифровых систем. В то же время осуществление логических устройств на БИС характеризуется сложностью выполнения соединений между активными компонентами БИС. Это приводит к разработке узкоспециализированных и заказных БИС, что значительно повышает стоимость устройств с жесткой структурой. [10]
Большие интегральные схемы, как и простые микросхемы, характеризуются совокупностью функциональных и электрических параметров. Отличительной особенностью БИС является возможность реализации сложных блоков, субблоков и даже целых электронных устройств. Поэтому они, как правило, не обладают широкой универсальностью и предназначаются для конкретных типов аппаратуры. [11]
Большие интегральные схемы на МДП транзисторах характеризуются значительно меньшим потреблением мощности как по цепям питания, так и по цепям управления. Потребление мощности в динамических и особенно в схемах на МДП транзисторах с каналами взаимодополнительных типов проводимости на несколько порядков меньше, чем в биполярных схемах. В частности, динамическое п-канальное МДП ОЗУ в режиме запись - считывание потребляет ilOO мкВт / бит, а в режиме хранения всего 1 мкВт / бит, для К-МДП схем потребление мощности в режиме хранения достигает 1 нВт / бит. [12]
Большие интегральные схемы - БИС ( более 1000 компонентов) - используются в качестве запоминающих и арифметическо-логических устройств. При создании БИС используются МДП-структуры: М ( металл), Д ( диэлектрик), П ( полупроводник), обеспечивающие более простое изготовление, большую надежность и увеличение степени интеграции. При изготовлении БИС очень сложно соединять между собой большое число элементов в одном кристалле или на одной подложке, поэтому в ряде случаев соединение производят по многоуровневой ( иерархической) системе. [13]
Большие интегральные схемы ( БИС) представляют собой сотни схем, образованных в одном кристалле полупроводникового материала и объединенных внутренними связями в блок, выполняющий сложную электрическую функцию. БИС создаются на основе биполярных транзисторов и МОП-структуры. [14]
Большие интегральные схемы также изготовляют в объеме одного кристалла. [15]