Большая интегральная схема - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 2
Когда мало времени, тут уже не до дружбы, - только любовь. Законы Мерфи (еще...)

Большая интегральная схема

Cтраница 2


Большая интегральная схема ( БИС) - схема, в которой большое количество логических и запоминающих элементов размещено на одном кристалле полупроводника.  [16]

Большие интегральные схемы ( БИС) - монолитные интегральные схемы с большой плотностью элементов, содержащие более 100 вентилей на одном кристалле.  [17]

Большие интегральные схемы, как и простые микросхемы, характеризуются совокупностью функциональных и электрических параметров. Отличительной особенностью БИС является возможность реализации сложных блоков, субблоков и даже целых электронных устройств. Поэтому они, как правило, не обладают широкой универсальностью и предназначаются для конкретных типов аппаратуры.  [18]

Большие интегральные схемы ОЗУ стремятся на основе простейших элементов ТТЛ, ТТЛШ, МДП, КМДП, И2 Л, ЭСЛ, модифицированных с учетом специфики конкретных изделий. В динамических ячейках памяти чаще всего используются накопительные емкости, а в качестве ключевых элементов - МДП транзисторы.  [19]

20 Описание выводов БМУ К584ВУ1. [20]

Большая интегральная схема БМУ предназначена для формирования последовательности адресов ПЗУ микрокоманд ( ПЗУМК) как функции от кодов команд, поступающих из ПЗУМК инструкцией и значения признаков модификации, поступающих в БМУ из внешних схем. Она также формирует константы, выдаваемые из регистра команд и осуществляет контроль питания микро - ЭВМ.  [21]

Большие интегральные схемы серии К541 изготовляются по биполярной технологии. Конструктивно они оформлены в виде 18-выводных корпусов, информационная емкость 4096 бит. Выходы БИС К541РУ1 организованы в виде схем с открытым коллектором, К. Временные диаграммы работы БИС иллюстрируются рис. 2.15. Значения основных временных параметров приведены ниже.  [22]

Большие интегральные схемы ОЗУ стремятся на основе простейших элементов ТТЛ, ТТЛШ, МДП, КМДП, И2 Л, ЭСЛ, модифицированных с учетом специфики конкретных изделий. В динамических ячейках памяти чаще всего используются накопительные емкости, а в качестве ключевых элементов - МДП транзисторы.  [23]

Распространенная большая интегральная схема ПЗУ типа К573РР12 имеет емкость в 512 восьмиразрядных слов. Эта ПЗУ имеет два управляющих входа Выбор микросхемы, на которые одновременно должны поступать единичные сигналы для подключения выходов микросхемы. Для увеличения разрядности хранимых слов объединяют адресные входы нескольких микросхем. Для увеличения числа хранимых слов необходимо старшие разряды внешней шины адресов подать на дополнительный дешифратор, выходы которого подключены ко входам Выбор микросхемы разных корпусов БИС, а адресные входы микросхем объединить и подключить к младшим разрядам внешней шины адресов.  [24]

Большая интегральная схема центрального процессорного элемента предназначена для арифметико-логической обработки и временного хранения информации, представленной в двоичном дополнительном коде.  [25]

Большой интегральной схемой называется такая схема, в корпусе которой на одной пластине ( или в ее объеме) содержится большое число ( 10 и более) схемных ячеек, соединенных между собой в сложную функциональную схему.  [26]

Применение больших интегральных схем в ЦВМ четвертого поколения позволяет увеличить плотность компоновки, еще больше повысить надежность этих ЦВМ и их быстродействие.  [27]

Появление больших интегральных схем ( БИС) считают качественно новым этапом в развитии радиоэлектроники. С их применением связывают разработку цифровых устройств четвертого поколения. Применение БИС влечет за собой новизну не только в характеристиках, способах проектирования и производства элементов, но и в методах построения узлов, подсистем и блоков цифровых устройств, имеющих значительную функциональную сложность.  [28]

Использование больших интегральных схем снижает общее число требуемых приборов и повышает надежность АТС.  [29]

Создание больших интегральных схем с числом компонентов на кристалле более 1000 требует выполнения следующих условий: площадь одного логического элемента должна быть не более ( 1 - 5) - 103 мкм2, рассеиваемая мощность - 100 - 500 мкВт / бит.  [30]



Страницы:      1    2    3    4