Многослойная схема - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 2
Всякий раз, когда я вспоминаю о том, что Господь справедлив, я дрожу за свою страну. Законы Мерфи (еще...)

Многослойная схема

Cтраница 2


Расчеты по формуле (15.38) были выполнены автором для двухслойной схемы турбулентного потока. Лабунцов выполнил такой расче г для одной из многослойных схем. Практически, для физического анализа процесса достаточно ограничиться рассмотрением более простой двухслойной схемы. Количественные результаты для наиболее важной области значений чисел Рг конденсата при этом также оказываются удовлетворительными.  [16]

17 Схема заземлителя к примеру 30 - 1. [17]

Местность, в которой расположена подстанция, относится ко второй климатической зоне. Предпроектные изыскания, проведенные на площадке подстанции, включая приведение выявленной многослойной схемы к расчетным условиям, а также дальнейшее приведение этой схемы к эквивалентной двухслойной, позволяют принять следующие параметры земли. Толщина верхнего слоя Л2 м, что соответствует толщине слоя сезонных изменений.  [18]

Одним из преимуществ пленок является прочность их сцепления с подложкой или предыдущими слоями в многослойных схемах. Адгезия зависит не только от чистоты поверхности подложки, но и от типа пары пленка - подложка. Если силы межповерхностных связей меньше сил сцепления в пленке, последняя приобретает зернистую структуру.  [19]

К сожалению, недостаточно внимания уделено технологии многослойных печатных схем. Тем не менее многие из описанных процессов, используемых для изготовления однослойных печатных схем, особенно при повышенных требованиях к качеству и высокой плотности размещения печатных проводников, полностью применимы и для многослойных схем.  [20]

Для заземлителя типа сетки без вертикальных проводников параметры эквивалентной двухслойной схемы при определении сопротивления и при определении напряжения прикосновения принимают одинаковыми. Толщина первого слоя эквивалентной двухслойной схемы равна толщине слоя сезонных изменений. Остальные слои многослойной схемы заменяют одним эквивалентным слоем. Этот слой является вторым в эквивалентной двухслойной схеме.  [21]

Как указано в § 30 - 4, земля, как правило, многослойна. Чтобы упростить расчет, реальную многослойную схему приводят к эквивалентной двухслойной. При этом сопротивление заземлителя и напряжения прикосновения могут быть определены по соответствующим формулам, найденным для заземлителей в однородной земле, если ввести понятия эквивалентных удельных сопротивлений земли-по сопротивлению и напряжению прикосновения.  [22]

При этом, как и в случае поперечных схем, аппроксимирующие уравнения можно искать непосредственно в виде равенств, аналогичных ( 13), с произвольными коэффициентами, подчиняя выбор последних соответствующим требованиям. Следует, однако, заметить, что в случае продольных многослойных схем при аппроксимации дифференциального уравнения на прямых, близких к граничным, обычно возникают трудности, связанные с нарушением однородности процесса приближения.  [23]

Использование энергии оптических квантовых генераторов открывает новые перспективы использования МОС в электронике. Этот метод позволяет проводить локальное осаждение металлических и диэлектрических пленок как с использованием масок, так и без них. Перспективными направлениями использования лазера в микроэлектронике являются получение проводящих дорожек, формирование электронно-дырочных переходов в полупроводниковых приборах, создание многослойных схем и создание объемных микросхем.  [24]

Расчет сложного заземлителя в многослойной земле является практически неразрешимой задачей. Методы расчета сложных заземли-телей разработаны применительно к двухслойной схеме. Поэтому, если интерпретация результатов ВЭЗ и последующее приведение схемы земли к расчетным условиям показывают, что число слоев земли равно трем и более, необходимо исходную многослойную схему привести к эквивалентной двухслойной, под которой условились понимать схему с такими параметрами pi, p2 и h, при которых заземлитель обладает такой же электрической характеристикой, что и в исходной многослойной схеме земли. Метод приведения многослойной схемы к эквивалентной двухслойной [30-3] основан на замещении реального сложного заземлителя более простой моделью ( эллипсоидом вращения) и использовании принципа соответствия полей. Поскольку здесь эти методы не изложены, ниже расчет заземлителей излагается применительно к двухслойной схеме в предположении, что после интерпретации результатов ВЭЗ многослойная схема уже приведена к расчетной двухслойной.  [25]

Расчет сложного заземлителя в многослойной земле является практически неразрешимой задачей. Методы расчета сложных заземли-телей разработаны применительно к двухслойной схеме. Поэтому, если интерпретация результатов ВЭЗ и последующее приведение схемы земли к расчетным условиям показывают, что число слоев земли равно трем и более, необходимо исходную многослойную схему привести к эквивалентной двухслойной, под которой условились понимать схему с такими параметрами pi, p2 и h, при которых заземлитель обладает такой же электрической характеристикой, что и в исходной многослойной схеме земли. Метод приведения многослойной схемы к эквивалентной двухслойной [30-3] основан на замещении реального сложного заземлителя более простой моделью ( эллипсоидом вращения) и использовании принципа соответствия полей. Поскольку здесь эти методы не изложены, ниже расчет заземлителей излагается применительно к двухслойной схеме в предположении, что после интерпретации результатов ВЭЗ многослойная схема уже приведена к расчетной двухслойной.  [26]

Расчет сложного заземлителя в многослойной земле является практически неразрешимой задачей. Методы расчета сложных заземли-телей разработаны применительно к двухслойной схеме. Поэтому, если интерпретация результатов ВЭЗ и последующее приведение схемы земли к расчетным условиям показывают, что число слоев земли равно трем и более, необходимо исходную многослойную схему привести к эквивалентной двухслойной, под которой условились понимать схему с такими параметрами pi, p2 и h, при которых заземлитель обладает такой же электрической характеристикой, что и в исходной многослойной схеме земли. Метод приведения многослойной схемы к эквивалентной двухслойной [30-3] основан на замещении реального сложного заземлителя более простой моделью ( эллипсоидом вращения) и использовании принципа соответствия полей. Поскольку здесь эти методы не изложены, ниже расчет заземлителей излагается применительно к двухслойной схеме в предположении, что после интерпретации результатов ВЭЗ многослойная схема уже приведена к расчетной двухслойной.  [27]

28 Первые варианты модулей СТ-8Г и СТ-7А выпуска КПЗ. [28]

СТ-4 на рис. 4), в которых размещаются при монтаже крепежные винты. При этом модули могут располагаться с одной и с другой стороны монтажной платы, необходимо лишь иметь в монтажной плате соответствующие резьбовые отверстия. При таком монтаже модулей оказывается возможным уменьшить габаритные размеры приборов. Указанный способ монтажа модулей на платах в основном был разработан в расчете на его использование в организациях, ведущих построение опытных образцов приборов, на модулях, полученных с завода. Для приборов, разрабатываемых заводом, применяется также способ монтажа модулей по многослойной схеме, при котором основные пластины отделяются одна от другой прокладками и отпадает необходимость в крышках для каждого из модулей.  [29]

Размеры пленочных элементов обычно очень малы, поэтому и отверстия в маске должны иметь размеры, исчисляемые микронами. Такие отверстия в металлических масках получают при помощи фотолитографии и химического травления. Получение масок микронных размеров - довольно сложная проблема, тем более, когда нанесение пленок необходимо проводить при повышенных температурах, вызывающих термические деформации подложек и масок. В связи с этим разрабатываются методы получения определенной конфигурации пленок с помощью фотолитографии. При этом удается получать разрешение порядка нескольких микрон, однако применение метода фотолитографии для получения рисунка в многослойных схемах требует дальнейшего совершенствования.  [30]



Страницы:      1    2    3