Cтраница 3
Расчет сложного заземлителя в многослойной земле является практически неразрешимой задачей. Однако заменить многослойную землю эквивалентной однородной невозможно, так как сопротивление заземлителя зависит от удельного сопротивления как верхних, так и нижних слоев, а напряжение прикосновения определяется удельным сопротивлением верхнего слоя. Двухслойная земля является простейшей схемой, заменяющей многослойную землю. Поэтому если интерпретация результатов ВЭЗ и последующее приведение земли к расчетным условиям показывают, что число слоев равно трем и более, необходимо исходную многослойную землю привести к эквивалентной двухслойной с параметрами рь р2 и Н, при которых заземлитель обладает такой же электрической характеристикой, чго и исходная многослойная схема. Поскольку метод приведения многослойной земли к эквивалентной двухслойной [30.5] здесь не изложен, ниже при расчете заземлителей принимается, что многослойная земля уже приведена к эквивалентной двухслойной. [31]
В определенной области концентраций чем концентрированнее проявитель, тем выше его активность и тем меньшая степень фоторазложения хинондиазида необходима для дифференциации растворимости экспонированных и неэкспонированных участков слоя. ФРГ 2420589 предлагается использовать ступенчатый фотолиз и последующую ступенчатую обработку резиста проявителями разной активности. Например, на диэлектрик наносят слой меди толщиной 8 мкм, слой хрома толщиной 0 2 мкм и слой резиста толщиной 2 5 мкм на основе ж-крезольного новолака с ММ 1000 и эфира нафтохинондиазидсульфокислоты с тригидроксибензофеноном; облучают через специальную маску, которая обеспечивает различную степень фотолиза резиста; наиболее фотолизованный участок проявляют разбавленным проявителем, хром и медь травят растворами КМпО4 и К СОз, РеС13 соответственно. Затем более концентрированным проявителем удаляют менее фотолизованные участки и травят хром раствором КМпО4; резист снимают растворителем. В результате получают многослойную схему высокого качества. [32]
В определенной области концентраций чем концентрированнее проявитель, тем выше его активность и тем меньшая степень фоторазложения хинондиазида необходима для дифференциации растворимости экспонированных и неэкспонированных участков слоя. ФРГ 2420589 предлагается использовать ступенчатый фотолиз и последующую ступенчатую обработку резиста проявителями разной активности. Например, на диэлектрик наносят слой меди толщиной 8 мкм, слой хрома толщиной 0 2 мкм и слой резиста толщиной 2 5 мкм на основе ж-крезольного новолака с ММ1000 и эфира нафтохинондиазидсульфокислоты с тригидроксибензофеноном; облучают через специальную маску, которая обеспечивает различную степень фотолиза резиста; наиболее фотолизованный участок проявляют разбавленным проявителем, хром и медь травят растворами КМпО4 и К2СОз, РеС13 соответственно. Затем более концентрированным проявителем удаляют менее фотолизованные участки и травят хром раствором КМпО4; резист снимают растворителем. В результате получают многослойную схему высокого качества. [33]
Расчет сложного заземлителя в многослойной земле является практически неразрешимой задачей. Методы расчета сложных заземли-телей разработаны применительно к двухслойной схеме. Поэтому, если интерпретация результатов ВЭЗ и последующее приведение схемы земли к расчетным условиям показывают, что число слоев земли равно трем и более, необходимо исходную многослойную схему привести к эквивалентной двухслойной, под которой условились понимать схему с такими параметрами pi, p2 и h, при которых заземлитель обладает такой же электрической характеристикой, что и в исходной многослойной схеме земли. Метод приведения многослойной схемы к эквивалентной двухслойной [30-3] основан на замещении реального сложного заземлителя более простой моделью ( эллипсоидом вращения) и использовании принципа соответствия полей. Поскольку здесь эти методы не изложены, ниже расчет заземлителей излагается применительно к двухслойной схеме в предположении, что после интерпретации результатов ВЭЗ многослойная схема уже приведена к расчетной двухслойной. [34]