Cтраница 1
![]() |
Вольтамперная характеристика и эквивалентная схема туннельного диода. [1] |
Эквивалентная схема туннельного диода приведена на рис. 4.66, где R - сопротивление перехода, С - емкость перехода и Rs - сопротивление толщи полупроводника. [2]
![]() |
Эквивалентная схема туннельного диода. [3] |
Эквивалентная схема туннельного диода может быть представлена в виде рис. 6.3. Она состоит из дифференциального сопротивления р-л-перехода Я, зарядной емкости С, сопротивления потерь г, индуктивности выводов L. Емкость корпуса туннельного диода можно учесть в схеме внешней цепи, поэтому мы ее для простоты опустим. [4]
![]() |
Эквивалентная схема туннельного диода. [5] |
Эквивалентная схема туннельного диода по своему виду практически не отличается от эквивалентной схемы СВЧ детектора. В нее входят: емкость перехода ( СПер), зашунтированная сопротивлением перехода ( R), последовательное сопротивление rs и индуктивность выводов LB. Емкость патрона в эквивалентную схему не включаем, считая, что она может быть отнесена к внешним по отношению к диоду элементам. [6]
Эквивалентная схема туннельного диода, показанная на рис. 1.66, включает: отрицательное дифференциальное сопротивление г - -, определяемое углом наклона падающего участка вольт-амперной характеристики; сопротивление растекания и контактов rs индуктивность выводов Ls и емкость р-п-перехода Сбар. [7]
На эквивалентной схеме туннельного диода ( ТД) ( см. рис. 79) обозначено: Rr - сопротивление ( отрицательное) на падающем участке характеристики: Ст - емкость р - п-перехода; Rs и Ls - сопротивление и индуктивность выводов и тела диода. В то же время сопротивление гг де должно вносить заметных потерь в колебательную систему. [8]
![]() |
Эквивалентная схема туннельного диода.| Зависимость тока и барьерной емкости туннельного диода из арсенида галлия от, напряжения на р-п переходе. [9] |
На эквивалентной схеме туннельного диода ( рис. 3.34) обозначено: R - сопротивление ( отрицательное) на падающем участке характеристики; Ст - емкость р-п перехода; Rs и La - сопротивление и индуктивность выводов и тела диода. [10]
![]() |
К определению к параллельному контуру, больше. [11] |
Пунктиром обведена эквивалентная схема туннельного диода для малого сигнала. [12]
На этом участке эквивалентная схема туннельного диода принимает вид, представленный на рис. 7.2, б, где е и га определяют согласно (7.2) и (7.3) соответственно. [13]
![]() |
Энергетическая диаграмма ( а и ВАХ ( б обращенных. [14] |
Следовательно, индуктивность эквивалентной схемы туннельного диода, которая определяется в основном индуктивностью внутренних и внешних выводов диода, должна быть по возможности малой. [15]