Эквивалентная схема - туннельный диод - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Женщина верит, что дважды два будет пять, если как следует поплакать и устроить скандал. Законы Мерфи (еще...)

Эквивалентная схема - туннельный диод

Cтраница 1


1 Вольтамперная характеристика и эквивалентная схема туннельного диода. [1]

Эквивалентная схема туннельного диода приведена на рис. 4.66, где R - сопротивление перехода, С - емкость перехода и Rs - сопротивление толщи полупроводника.  [2]

3 Эквивалентная схема туннельного диода. [3]

Эквивалентная схема туннельного диода может быть представлена в виде рис. 6.3. Она состоит из дифференциального сопротивления р-л-перехода Я, зарядной емкости С, сопротивления потерь г, индуктивности выводов L. Емкость корпуса туннельного диода можно учесть в схеме внешней цепи, поэтому мы ее для простоты опустим.  [4]

5 Эквивалентная схема туннельного диода. [5]

Эквивалентная схема туннельного диода по своему виду практически не отличается от эквивалентной схемы СВЧ детектора. В нее входят: емкость перехода ( СПер), зашунтированная сопротивлением перехода ( R), последовательное сопротивление rs и индуктивность выводов LB. Емкость патрона в эквивалентную схему не включаем, считая, что она может быть отнесена к внешним по отношению к диоду элементам.  [6]

Эквивалентная схема туннельного диода, показанная на рис. 1.66, включает: отрицательное дифференциальное сопротивление г - -, определяемое углом наклона падающего участка вольт-амперной характеристики; сопротивление растекания и контактов rs индуктивность выводов Ls и емкость р-п-перехода Сбар.  [7]

На эквивалентной схеме туннельного диода ( ТД) ( см. рис. 79) обозначено: Rr - сопротивление ( отрицательное) на падающем участке характеристики: Ст - емкость р - п-перехода; Rs и Ls - сопротивление и индуктивность выводов и тела диода. В то же время сопротивление гг де должно вносить заметных потерь в колебательную систему.  [8]

9 Эквивалентная схема туннельного диода.| Зависимость тока и барьерной емкости туннельного диода из арсенида галлия от, напряжения на р-п переходе. [9]

На эквивалентной схеме туннельного диода ( рис. 3.34) обозначено: R - сопротивление ( отрицательное) на падающем участке характеристики; Ст - емкость р-п перехода; Rs и La - сопротивление и индуктивность выводов и тела диода.  [10]

11 К определению к параллельному контуру, больше. [11]

Пунктиром обведена эквивалентная схема туннельного диода для малого сигнала.  [12]

На этом участке эквивалентная схема туннельного диода принимает вид, представленный на рис. 7.2, б, где е и га определяют согласно (7.2) и (7.3) соответственно.  [13]

14 Энергетическая диаграмма ( а и ВАХ ( б обращенных. [14]

Следовательно, индуктивность эквивалентной схемы туннельного диода, которая определяется в основном индуктивностью внутренних и внешних выводов диода, должна быть по возможности малой.  [15]



Страницы:      1    2