Эквивалентная схема - туннельный диод
Cтраница 2
Следовательно, индуктивность эквивалентной схемы туннельного диода, которая определяется в основном индуктивностью внутренних и внешних выводов диода, должна быть по возможности малой. [16]
На рис. 3.20 приведена эквивалентная схема туннельного диода по переменному току. [17]
 |
Эквивалентная схема туннельного диода. [18] |
На рис. 3.19 приведена эквивалентная схема туннельного диода. [19]
 |
Принципиальная схема ЧМ радиопередатчика с энергоснабжением через радиоканал.| Характеристика туннельного диода. [20] |
На рис. 50 приведены эквивалентные схемы туннельного диода. [21]
 |
Вольт-амперная характеристика обращенного диода. [22] |
Эквивалентная схема обращенного диода не отличается от эквивалентной схемы туннельного диода. Инерционность обращенного диода определяется временем перезаряда его емкости и зависит от параметров эквивалентной схемы. Как правило, время переключения обращенного диода не превышает 1 не. [23]
 |
Вольтамперная характеристика обращенного диода. [24] |
Для рассмотрения динамических параметров ( второй группы) туннельного диода, особенно характеризующих его работу на высоких частотах, обратимся к эквивалентной схеме туннельного диода ( рис. 44), где Ср п - емкость р - п перехода; К - сопротивление р - п перехода; Rs - последовательное сопротивление ( включает сопротивление базы, корпуса и выводов); LB - индуктивность выводов. Емкость корпуса диода в эквивалентную схему не включена, так как она может быть отнесена к внешним по отношению к диоду элементам. [25]
Эквивалентная схема туннельного диода с цепью питания показана на рис. 9.4. Эта цепь выполняется в виде делителя. [26]
Выключение динистора происходит цри подаче на коллектор напряжения отрицательной полярности. Такая схема дуальна эквивалентной схеме туннельного диода для большого сигнала в виде параллельного соединения сопротивления и емкости. Основные трудности при расчете процессов переключения указанным способом заключаются в том, что сопротивление и индуктивность в рассматриваемой схеме существенно нелинейны и зависят от частоты. [27]
 |
Эквивалентная схема туннельного диода. [28] |
Это свойство туннельного диода и используется для усиления сигналов. На рис. 9.1 показана эквивалентная схема туннельного диода. [29]
Страницы: 1 2