Эквивалентная схема - замещение
Cтраница 3
При составлении эквивалентной схемы замещения предполагается следующая картина течения теплоты. [31]
Определить параметры эквивалентной схемы замещения ( рис. 3.18, б) двух параллельно работающих трансформаторов. [32]
Применительно к эквивалентной схеме замещения ( рис. 1) насыщение вызывает уменьшение величины L и в пределе сопротивление этой ветви стремится к нулю. [33]
Трехфазные трансформаторы эквивалентной схемой замещения изображаются так же, как и однофазные. [34]
Этому выражению соответствует эквивалентная схема замещения ( рис. 6.5, б), состоящая из последовательно соединенных источника ступенчатого напряжения величиной UQ и незаряженной емкости. [35]
Для трехфазных трансформаторов эквивалентные схемы замещения изображаются для одной фазы и имеют такой же вид, как и для однофазного трансформатора. Параметры схемы замещения определяются из опытов холостого хода и короткого замыкания. [36]
Таким образом, эквивалентная схема замещения теплопередачи от кристалла к окружающей среде может быть представлена так, как показано на рис. 1.14, где RTI - тепловое сопротивление участка кристалл - поверхность корпуса ИМС, RTZ - тепловое сопротивление конвективного теплообмена, RTZ - тепловое сопротивление лучистого теплообмена участка корпус - среда. [37]
В соответствии с принятой эквивалентной схемой замещения внешние шумовые характеристики полупроводникового прибора-двухполюсника часто выражают спектральной плотностью шумо - iBofo напряжения или тока. Однако приращения спектральных плотностей напряжения или тока определяются не. Поэтому в качестве внешней шумовой характеристики двухполюсника принимается спектральная плотность поминальной мощности шума SHOW PBOW / B, где РНом - номинальная мощность эквивалентного источника шума IB полосе частот В. Предполагается, что величина В мала по сравнению со всей полосой частот А / / 2 - / ь в которой ведется исследование. [38]
На рис. 2.1 приведена эквивалентная схема замещения к расчету внешнего короткого замыкания. Короткое замыкание разделяет схему на две части, токи в которых можно рассматривать независящими друг от друга. Для расчета полупроводникового выпрямителя представляет интерес лишь ток, поступающий к месту короткого замыкания от сети переменного тока через полупроводниковые приборы преобразователя. [39]
 |
Эквивалентная схема замещения одноступенчатого ТТ. [40] |
На рис. 4.1 показана эквивалентная схема замещения электромагнитного одноступенчатого ТТ, все параметры которой приведены ко вторичной обмотке. Приняты следующие обозначения элементов схемы: L и Rn - индуктивность намагничивания и эквивалентное сопротивление потерь в сердечнике ТТ: г2 и Ld2 - активное Сопротивление и индуктивность рассеяния вторичной обмотки; Ян и Ln - активное сопротивление и индуктивность нагрузки. [41]
На рис. 32 показана эквивалентная схема замещения транзистора с общим эмиттером, которая получила наибольшее распространение. [42]
 |
Схема двухслойного плоского конденсатора. [43] |
На рис. 3.1 показана эквивалентная схема замещения реального конденсатора с параллельно включенными идеальным конденсатором и активным сопротивлением, а также векторная диаграмма токов, соответствующих данной схеме. [44]
На рис. 45.8 представлена эквивалентная схема замещения нулевой последовательности при КЗ на одной цепи двухцепной линии электропередачи. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5