Cтраница 5
На рис. 32.3 б приведена эквивалентная схема замещения, в которой ключевой транзистор VT и диод VD заменены перекидным ключом S. При поступлении управляющего сигнала на базу транзистора VT ключ S устанавливается в положение 1, а при отсутствии управляющего сигнала ключ S устанавливается в положение 2, обеспечивая непрерывность тока в дросселе L, В зависимости от значения параметров схемы возможны два режима работы: 1) непрерывного и 2) прерывистого тока в дросселе. [61]
![]() |
Схема расчета индуктивностей ЭДН. [62] |
Для всех нелинейных магнитных сопротивлений эквивалентной схемы замещения ( рис. 6.25), имеющих ферромагнитные участки магнитопро-вода, произвольно задают значения относительной магнитной проницаемости Мт 1, где j - количество нелинейных сопротивлений. [63]
Формула ( 26) соответствует эквивалентной схеме замещения кольца с током над проводящим слоем. [64]