Физическая эквивалентная схема

Cтраница 2

Из полной физической эквивалентной схемы полупроводникового триода ( рис. 5.21) может быть получена высокочастотная эквивалентная схема. Для этого из первой следует исключить те ее элементы, влиянием которых на высокой частоте можно пренебречь. Цепь, составленная из параллельно включенного диффузионного сопротивления и емкости базы, может быть исключена, так как на высокой частоте эта цепь представляет собой короткое замыкание. [16]

Каждый вывод физической эквивалентной схемы соответствует электроду транзистора. Заметим, что в формальных эквивалентных схемах различаются только входные и выходные зажимы, независимо от того, какими электродами транзистора они являются. [17]

Каждый вывод физической эквивалентной схемы соответствует электроду транзистора. Заметим, что в формальных эквивалентных схемах различают только входные и выходные зажимы, независимо от того, какими электродами транзистора они являются. [18]

Каждый вывод физической эквивалентной схемы соответствует электроду транзистора. Заметим, что в формальных эквивалентных схемах различают только входные и выходные зажимы независимо от того, какими электродами транзистора они являются. [19]

К сожалению, физическая эквивалентная схема транзистора рис. 1.1 не соответствует ни одной из простейших схем четырехполюсника. [20]

Обсуждается методика построения физической эквивалентной схемы на примере транзисторов типа ГТ311 и ГТ313 с целью определить систему параметров для описания высокочастотных свойств транзисторов в диапазоне частот / и интервале режимов. [21]

Одногенераторные формальные эквивалентные схемы. [22]

По способу построения различают формальные и физические эквивалентные схемы. [23]

В работе [1] проанализирована физическая эквивалентная схема транзисторов типов ГТЗНи ГТ313, предложена система параметров, характеризующая свойства их в диапазоне частот и интервале режимов. [24]

Дополнительным аргументом в пользу параметров физической эквивалентной схемы для контроля транзисторов в процессе производства является их простая связь с конструктивными особенностями транзистора. В результате с их помощью можно контролировать все ( или почти все) элементы технологии и оперативно анализировать причины брака. [25]

Семейство выходных характеристик. [26]

На рис. 2.16 приведена так называемая малосигнальная физическая эквивалентная схема диффузионного транзистора, пригодная и для дрейфовых транзисторов. [27]

Динамические характеристики транзистора. [28]

В настоящее время используют целый ряд физических эквивалентных схем транзисторов, отличающихся как количеством элементов, так и способами их соединений. [29]

Простейшая эквивалентная схема, соответствующая системе К-параметров. [30]

Страницы: 1 2 3 4