Физическая эквивалентная схема

Cтраница 3

Для транзистора выражать К-параметры непосредственно через элементы физической эквивалентной схемы неудобно, так как выражения получаются слишком громоздкими, а входящие в них величины трудно поддаются непосредственному измерению. [31]

На основе рассмотрения уравнений фототранзистора [4] и его физической эквивалентной схемы оптимальный режим работы фототранзистора может быть выбран и осуществлен более простым и надежным способом. [32]

Определяют режим работы транзистора выбранной микросхемы и рассчитывают параметры его физической эквивалентной схемы. [33]

Каждое из этих соображений накладывает известные ограничения на пределы применимости физической эквивалентной схемы. [34]

Второй метод построения эквивалентных схем сводится к составлению так называемых физических эквивалентных схем, которые с определенной степенью точности отражают электрические свойства активных элементов. В связи с тем, что физические процессы в активном элементе можно моделировать различными электрическими схемами, существует большое число физических эквивалентных схем, каждой из которых соответствует своя система физических параметров. [35]

Усложнение расчетов, связанное с необходимостью вычислять параметры эквивалентного четырехполюсника из физической эквивалентной схемы, искупается возможностью анализа схемы в диапазоне частот и режимов транзистора. Кроме того, физическая эквивалентная схема позволяет описать поведение транзистора в диапазоне частот и режимов минимальным количеством, параметров и зависимостей. Попытки характеризовать транзистор семейством зависимостей комплексных параметров эквивалентного четырехполюсника от частоты и режима практически неосуществимы из-за громоздкости необходимого справочного материала. [36]

Второй метод построения эквивалентных схем транзисторов сводится к составлению так называемых физических эквивалентных схем, которые с определенной степенью точности отображают процессы, происходящие в транзисторах. Их основное преимущество состоит в том, что они позволяют достаточно просто отражать различные свойства реальных полупроводниковых приборов ( например, зависимость их основных параметров от частоты), однако не позволяют создать единых методов анализа для одинаковых усилительных каскадов, в которых используются разные типы транзисторов. Поэтому более удобными оказываются эквивалентные схемы транзисторов, построенные на основе линейных активных четырехполюсников, которыми мы и будем пользоваться в дальнейшем. [37]

В следующей работе авторов ( 9 ] дано экспериментальное подтверждение справедливости принятой физической эквивалентной схемы ( рис. 1) для описания высокочастотных свойств транзисторов ГТ311 и ГТ313 в диапазоне частот и интервале режимов с помощью измерения и расчета параметров эквивалентного четырехполюсника на внешних зажимах транзистора. [38]

Зависимость выходного напряжения фотодиода от частоты ( СВЫх50 пф. [39]

Выходной импеданс фототранзистора в схеме с разомкнутой базой можно определить с помощью физической эквивалентной схемы, если гк зашунтировать емкостью 1 Ск и учесть, что d - частотно зависимая величина. [40]

Представлены таблицы коэффициента усиления СВЧ транзистора в режиме двухстороннего согласования в функции нормализованных параметров его физической эквивалентной схемы, а также нормализованные частотные кривые коэффициента шума. Нормализация параметров эквивалентной схемы ( учитывающей паразитные параметры транзистора) позволяет охватить сравнительно небольшой по объему таблицей широкий класс СВЧ транзисторов. [41]

Кроме статических эквивалентных схем, получаемых при применении формальных приемов линеаризации в.а.х. транзистора, часто, особенно при анализе работы транзистора в активном режиме, используют физические эквивалентные схемы транзисторов - Т - и П - образные. Указанные эквивалентные схемы по сути дела являются моделями транзистора, отражающими физические, связанные с принципом его работы, параметры и явления: сопротивления базы, открытого эмиттерного и закрытого коллекторного переходов, явление диффузии и дрейфа носителей. [42]

Среди разработчиков радиоаппаратуры бытует мнение, что транзисторы в процессе их производства следует характеризовать совокупностью параметров эквивалентного четырехполюсника, сделав эти параметры основными вместо обычно используемых параметров физической эквивалентной схемы. [43]

Свойства транзисторов на внешних зажимах определяются совокупностью одновременно действующих физических явлений. Физическая эквивалентная схема позволяет дифференцированно характеризовать эти явления. [44]

Исследована частотная зависимость инвариантного коэффициента устойчивости биполярного СВЧ транзистора. На основе физической эквивалентной схемы рассмотрено влияние параметров структуры и корпуса транзистора па его безусловную устойчивость. Рассмотрена возможность превращения СВЧ транзистора в безусловно устойчивый прибор. [45]

Страницы: 1 2 3 4