Импульсная схема

Cтраница 3

В импульсных схемах важную роль играет преобразование формы импульсных напряжений и токов, которое осуществляется специальными цепями и устройствами формирования импульсов. В большинстве случаев в них используют переходные процессы в линейных электрических цепях. [31]

В импульсных схемах дифференцирующие цепи ( иногда их называют обостряющими) используют очень широко. [32]

В импульсных схемах допускаются перегрузки по мощности рассеивания до 300 Вт в момент переключения, при этом длительность перегрузки должна быть не более 0 5 мкс, частота перегрузки не более 5 кГц, температура корпуса не более 363 К. [33]

В импульсных схемах при повышении быстродействия усложняется синхронизация сигналов, поскольку смещение их во времени может привести к ложному срабатыванию. [34]

Эквивалентные схемы биполярного транзистора р-п - р ( а и п-р - п ( б типов при базовом управлении. [35]

В импульсных схемах транзистор часто управляется базовым током. [36]

В импульсных схемах при отпирании и запирании ключевого элемента происходят переходные процессы, продолжительность которых определяет быстродействие ключевого элемента. [37]

Инвертор на комплементарных МДП транзисторах ( а и зависимость потребляемой ии мощности от частоты следования импульсов ( б.| Мультивибраторы с распределенными R-C-N - структурами. [38]

В импульсных схемах низкие уровни потребляемых мощностей достигаются за счет использования комплементарных транзисторов. Потребляемая мощность ключевой системы на комплементарных МДП транзисторах ( рис. 3 - 60, и) определяется мощностью, затрачиваемой на перезаряд паразитных емкостей в момент переключения. В любой другой момент времени ток в схеме является ничтожно малым. [39]

В импульсных схемах часто используются электронные ключи на МДП-транзисторах. [40]

В импульсных схемах приходится иметь дело с паразитным активным сопротивлением ( проводимостью), паразитной емкостью и паразитной индуктивностью. [41]

В нелинейных импульсных схемах транзисторы и диоды используются в качестве, ключевых элементов, основное назначение которых заключается в замыкании и размыкании определенных цепей. В этом случае характеристики транзистора или полупроводникового диода, которые представляют собой нелинейный элемент, меняются с изменением уровня сигналов. [42]

Схема симметричного триггера на лампах. [43]

Триггерами называют импульсные схемы, имеющие два электрических состояния устойчивого равновесия. [44]

Однако, импульсные схемы автоматического регулятора с этими двумя дополнительными опережающими импульсами получаются есколшо сложными и громоздкими. [45]

Страницы: 1 2 3 4