Импульсная схема
Cтраница 4
Предельное быстродействие импульсных схем определяется временными характеристиками используемых микросхем. В некоторых случаях, когда необходимые интервалы времени малы ( десятки и сотни наносекунд), для этой цели используют время задержки сигналов в самой микросхеме. Микросхемы КМОП-структуры сравнительно с ТТЛ больше подходят для работы в импульсных устройствах благодаря высокому входному сопротивлению, хорошей температурной стабильности, а также передаточной характеристике, близкой к идеальной. По этим причинам при равных условиях им отдают предпочтение. [46]
При наладке импульсных схем не требуется высокой точности измерений, но измеряемые величины бывают разнообразны по природе и параметрам. Поэтому предпочтение отдается универсальным приборам. Из стрелочных измерительных приборов наибольшее применение находят ламповые вольтметры. Они позволяют измерять напряжение в широком диапазоне, имеют высокое входное сопротивление. Эти приборы пригодны и для измерения сопротивлений, емкостей, индуктивностей. Щитовые стрелочные приборы находят ограниченное применение, преимущественно для контроля питающих напряжений. [47]
Практическое оформление импульсных схем с компенсацией может быть весьма разнообразным. [48]
 |
Питание осциллоскопа и налаживаемой схемы от общей сети.| Схемы для анализа паразитных. [49] |
При наладке импульсных схем внешняя развертка используется чаще, чем внутренняя. Внешняя развертка позволяет изучать фронты импульсов, измерять временные соотношения между сигналами, наблюдать отдельные импульсы из последовательности. В составе технологических пультов нередко предусматриваются специальные схемы, формирующие сигналы внешней синхронизации. Такие схемы имеются и в составе многих типов лабораторных импульсных генераторов. [50]
Индуктивными элементами импульсных схем и устройств называют такие, работа которых основана на использовании магнитных свойств веществ. Общеизвестно, что магнитное поле в веществе описывается тремя величинами: напряженностью Н, намагниченностью J и магнитной индукцией В. Напряженность Н определяет магнитное поле, созданное внешними по отношению к веществу возбудителями. В их качестве в индуктивных импульсных элементах выступают обмотки, обтекаемые токами. Намагниченностью J определяется магнитное поле внутренних возбудителей-электронов атомов-в самом веществе. [51]
Характерной особенностью импульсных схем является скачкообразное изменение их состояния, которое проявляется Б виде скачка напряжения, или скачка тока, или скачков тока и напряжения одновременно. Такое скачкообразное изменение состояния может быть использовано для выполнения логических операций или для передачи энергии в релейных системах и импульсных регуляторах. [52]
Для связи импульсной схемы с внешними устройствами ( лампочкой, электромагнитом) обычно используется бесконтактное реле. На рис. 3 - 19 приведен простейший пример такой схемы. [53]
Отличительной особенностью импульсных схем является широкое применение электронных ключей. Через идеальный разомкнутый ключ ток не протекает. Напряжение на идеальном замкнутом ключе равно нулю. [54]
При расчете импульсных схем необходимо учитывать влияние накопления неосновных носителей в плоскостных триодах. Когда эмиттерный ток превосходит величину, требуемую для перевода коллектора в режим насыщения, дальнейшее увеличение эмигтерного тока приводит к накоплению кристаллическим триодом большого числа неосновных носителей. После окончания входного импульса накопленные носители должны выйти при очень небольшом напряжении коллектора, прежде чем кристаллический триод вернется в состояние с низкой проводимостью. [55]
При расчете импульсных схем с учетом режима насыщения для каждой конкретной схемы необходимо знать временные зависимости тока эмиттера, коллектора или базы в режиме насыщения. [56]
При исследовании импульсных схем с трансформаторной обратной связью, в которых полупроводниковые триоды ( главным образом мощные) работают в ключевом режиме, часто необходимо знать вольт-амперные характеристики в области насыщения. [57]
Страницы: 1 2 3 4