Последовательная схема - замещение
Cтраница 2
Мост МД-16 выполнен, исходя из последовательной схемы замещения емкости и активного сопротивления. [17]
Дополнительная погрешность при измерении индуктивности в последовательной схеме замещения, обусловленная влиянием собственной емкости и добротности измеряемых катушек, а также систематическая погрешность прибора исключаются с помощью графиков. [18]
Рассмотрим критерии подобия для каждого параметра при последовательной схеме замещения звена. [19]
 |
Показатели бумаги АНКОН по ТУ 81 - 04 - 591 - 80.| Требования к показателям качества зарубежных конденсаторных бумаг. [20] |
Наиболее часто используют удобные и простые приближенные формулы на основе последовательной схемы замещения, лучше других соответствующей современным представлениям о структуре конденсаторной бумаги. [21]
Проводимости g0 и Ьй связаны с сопротивлениями Rc и х последовательной схемы замещения теми же соотношениями, какими связаны в разветвленных цепях переменного тока проводимости отдельных ветвей с сопротивлениями эквивалентной цепи. [22]
Измерители индуктивности обеспечивают измерение параметров катушек индуктивности по параллельной или последовательной схеме замещения. [23]
При подобном включении в цепь обратной связи активно-емкостного сопротивления с последовательной схемой замещения ( схема 2) также обеспечивается линейность функции преобразования активного и реактивного сопротивлений, но значения емкости обратно пропорциональны соответствующей составляющей выходного напряжения. При этом обеспечивается и линейное преобразование емкости. [24]
Схема 1 применяется для измерения емкости и тангенса угла потерь объектов по последовательной схеме замещения. Схема 2 позволяет измерять индуктивности с низкой добротностью; схема 3 обычно используется при высокой добротности, а также для измерения больших индуктивностей. Схема 4 применяется обычно при исследовании катушек с ферритовыми сердечниками, когда необходимым условием является определенное значение тока подмагничивания. Схема 5 положена в основу большого числа установок, измеряющих параметры конденсаторов и диэлектрические характеристики материалов при напряжениях от долей вольта до сотен киловольт. Для измерений индуктивности в диапазоне от 10 - 4 до 1 Гн широко применяется схема шестиплечего индуктивно-емкостного моста ( схема 6), условия равновесия которой связывают емкости образцовой меры с индуктивностью измеряемого объекта и сопротивлениями резистивных плеч моста. Возможно также определение емкости конденсатора по аттестованным катушкам индуктивности. [25]
Зависят ли от частоты эквивалентные емкость и сопротивление рассматриваемого конденсатора а) в последовательной схеме замещения и б) в параллельной схеме замещения. [26]
При заданных и и L добротность определяется сопротивлением ra катушки току высокой частоты в последовательной схеме замещения. Полное сопротивление катушки току высокой частоты зависит от суммы потерь в проводе, каркасе, сердечнике и экране. Доля каждой составляющей зависит от свойств материалов и геометрических размеров элементов конструкции катушки, частоты, условий эксплуатации и ряда других факторов. Как правило, 70 - 80 % fa составляют потери в проводе, обусловленные поверхностным эффектом, вихревыми токами и омическим сопротивлением. [28]
 |
Измерительная цепь и диаграммы, поясняющие принцип преобразования сопротивления емкостного характера. [29] |
Рассмотрим цепь, состоящую из последовательно соединенных преобразуемого комплексного сопротивления Zx емкостного характера, представленного последовательной схемой замещения с составляющими Rx и Хх, и образцового резистора RO. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5