Последовательная схема - замещение
Cтраница 3
Так же как и в предыдущем случае, выражение для полной проводимости ячейки, исходя из ее последовательной схемы замещения, получают суммированием про-водимостей, состоящих из действительных и мнимых членов. [31]
Как указывалось, параметры гс и Lc, вычисленные по ( 148) и ( 153), справедливы лишь для последовательной схемы замещения продольного двухполюсника Z. Этот переход допустим как при наличии, так и при отсутствии продольной емкости К. [32]
Как следует из табл. 1, использование развертки, прямо пропорциональной времени, позволяет обеспечить частотно-независимый отсчет емкости двухполюсника, представленного последовательной схемой замещения, и индуктивности двухполюсника, представленного параллельной схемой замещения. Вместе с тем электрические свойства конденсаторов и катушек индуктивности чаще всего отображаются соответственно параллельной и последовательной схемами замещения. [33]
При питании исследуемого двухполюсника от источника синусоидального тока в цепи существует напряжение, составляющие которого несут информацию об исследуемом объекте, представленном последовательной схемой замещения. При питании элементов цепи, характеризующихся комплексной проводимостью, от источника переменного напряжения информативными величинами являются соответствующие составляющие тока. Весьма существенно, что, если одна из составляющих напряжения ( тока) имеет максимальное значение, то вторая равна нулю. Само по себе это состояние широко известно. Высокое быстродействие этих преобразователей позволяет использовать их при исследовании однократных процессов, в системах централизованного контроля, а также для измерения параметров и разбраковки готовых изделий в электро - и радиотехнической промышленности. [34]
 |
Последовательная электрическая эквивалентная схема реального конденсатора ( А и векторная диаграмма токов и напряжений, действующих в данной схеме ( В. [35] |
Угол б называется углом диэлектрических потерь; из (1.11) видно, что тангенс угла диэлектрических потерь реального конденсатора равен отношению его активного сопротивления в последовательной схеме замещения к сопротивлению реактивного участка этой цепи. [36]
Требуется определить Qx, полагая, что Qi - Q, где Q - полная добротность контура, а также Сх и гх конденсатора в последовательной схеме замещения. [37]
 |
Номограммы для определения погрешности, возникающей вследствие искажения формы кривой питающего напряжения ( тока при ig6x 0 01 ( а и tg6x0 l ( б на частоте первой гармоники. [38] |
Выражение (2.4) можно использовать для расчета погрешности и в случае, если входной величиной является ток, а исследуемый двухполюсник имеет индуктивный характер и представлен последовательной схемой замещения, поскольку схемы, представленные на рис. 2.1, в и 2.1 6, дуальны. Только отношения напряжений следует заменить отношениями соответствующих токов. [39]
На рис. 1.4 показаны измерительная цепь, соответствующая структуре в ( см. рис. 1.1), для случая, когда измеряемое и образцовое индуктивные комплексные сопротивления представлены последовательной схемой замещения, а также векторные диаграммы напряжений в момент квазиравновесия при реализации модульного ( рис. 1.4 6) и фазового ( рис. 1.4, в) режимов измерения. [40]
Мост переменного тока типа Р568 ( рис.) предназначен для исследования кинетики различных электродных реакций, проведения металлов в кислотах и щелочах в присутствии ингибиторов коррозии, строения двойного слоя электрохимической ячейки в водных и неводных растворах, закономерности электрохимического инициирования полимеризации различных органических соединений, а также для измерения емкости конденсаторов и эквивалентного сопротивления потерь по последовательной схеме замещения в области частот от 20 до 10 000 гц. [41]
Мост переменного тока - типа Р568 ( рис.) предназначен для исследования кинетики различных электродных реакций, проведения металлов в кислотах и щелочах в присутствии ингибиторов коррозии, строения двойного слоя электрохимической ячейки в водных и неводных растворах, закономерности электрохимического инициирования полимеризации различных органических соединений, а также для измерения емкости конденсаторов и эквивалентного сопротивления потерь по последовательной схеме замещения в области частот от 20 до 10 000 гц. [42]
 |
Частотные зависимости со -, противлении конденсатора. [43] |
Частотные зависимости сопротивлений (3.125) показаны на рис. 3.33 пунктирными линиями. Из этих графиков видно, что последовательная схема замещения справедлива только при достаточно высоких частотах. Кроме того, этой схемой можно пользоваться в ограниченном диапазоне частот, в ( котЬром изменение гс не превышает допустимых пределов. [44]
 |
Механизмы поглощения электрической энергии в диэлектриках. [45] |
Страницы: 1 2 3 4 5