Cтраница 1
Внедрение атомов в междуузлия может происходить сравнительно легко в кристаллах с достаточно просторной упаковкой, при которой размеры междуузлий сравнимы с размерами атомов, и затруднено в кристаллах с плотной упаковкой атомов. Поэтому несколько позднее Шоттки предложил другую модель разупорядоченности твердых тел, содержащую только вакансии. По Шоттки, вакансии образуются при выходе атомов из узлов в объеме кристалла на поверхность, в результате которого на поверхности происходит достраивание кристаллической решетки, а в объеме кристалла возникают вакансии. В бинарных химических соединениях, в частности, в ионных кристаллах такая модель предполагает существование вакансий в подрешетках обоих компонентов в эквивалентных количествах. [1]
Внедрение атомов в междоузлия существенно изменяет свойства - металла. Твердые растворы и соединения типа внедрения в ряде случаев обладают уникальным сочетанием различных свойств, и внедрение атомов в решетку металла служит широко применяемым способом получения разнообразных материалов. [2]
Внедрение атомов в кристаллическую решетку металла может сильно изменить магнитные свойства сплавай даже превратить его в магнетик качественно другого типа. Известно, например, что внедрение водорода и дейтерия в палладий приводит к уменьшению парамагнитной восприимчивости и появлению диамагнетизма. [3]
Внедрение атомов в междоузлия решетки приводит к распуханию, которое может развиваться и вызвать разрушение материала. Термические пики, особенно образующиеся в конце пути пробега частицы, как указывалось выше, представляют собой локализованные области высоких температур. Быстрый нагрев и охлаждение в этих областях могут усилить диффузию и привести к образованию метастабильных фаз. [4]
Внедрение атомов As в сурьму успешно используется в производстве интегральных схем. При дозах облучения около 2 ат / нм2 после отжига при 600 С и последующем охлаждении при 25 С все внедренные атомы занимают узлы решетки в процессе эпитаксиальной рекристаллизации разупорядоченного слоя. [5]
Внедрение атомов хлора сильно препятствует образованию кристаллических областей в полиэтилене, что можно проследить по уменьшению интенсивности кристаллических полос, о которых говорилось выше. На рис. 11 изображены инфракрасные спектры двух хлорированных полимеров: поливинилхлорида и поливинилиденхлорида. Их спектры сильно отличаются от спектра полихлорэтилеиа даже при одинаковом содержании хлора. Это различие вызвано тем, что в поливинилхлориде и в поливинилидеп. [6]
![]() |
Цеолиты и их использование. [7] |
Внедрение атомов алюминия в тетраэдрическую конфигурацию вызывает появление отрицательных зарядов на каждом атоме. Эти лабильные катионы могут обмениваться при контакте цеолита с растворами других катионов. Ионный обмен позволяет изменять кислотность и активность центров цеолита. [8]
Внедрение атома отдачи Си между двумя атомами углерода молекулы ацетамида, ведущее к образованию меченого в мети-леновой группе пропионамида, может происходить, например, через промежуточное образование циклопропанона, который способен переходить в пропионовую кислоту. [9]
![]() |
Элементарная ячейка структуры типа NiAs. 1-атомы Ni. 2 - атомы As. 3 - сдвоенные тетраэдрические. [10] |
Помимо внедрения атомов переходного элемента в сдвоенные тетраздрические пустоты возможен и другой тип дефектов - вакансии в октаэдрических позициях. [11]
При внедрении атомов в октаэдрические междоузлия ОЦК решетки металла наблюдается характерная деформация такой решетки. При внедрении атом раздвигает соседние атомы металла в направлении короткой оси. Среди сплавов внедрения встречаются такие сплавы, в которых внедренные атомы неравномерно распределяются по междоузлиям с разными направлениями короткой оси. [12]
Поскольку для внедрения атомов металла в графит необходим разрыв в расплаве межчастичных связей металл - металл, то энергия связи Me - Me входит составляющей в энергию активации зародышеобразования. Высокая энергоотрицательность катионов №, образующихся при диссоциации цианамида металла, определяет образование комплексов Me - N. [13]
В месте внедрения атома донорной примеси появляется неподвижный положительный заряд, так как электрон, отданный ею в зону проводимости, перестает компенсировать положительный заряд ядра. Аналогично в месте внедрения атома акцептора появляется неподвижный отрицательный заряд. [14]
Вторым возможным процессом является внедрение атомов цинка, серы или кислорода в сульфид или окисел с образованием соответствующих дефектов, что приводит к отклонению соединений от стехиометрии. [15]