Cтраница 3
В литературе отмечается сходство Ag O Aga03 и допускается внедрение атомов О, в решетку AgzO. Характер связей и структурных узлов не уточнен. [31]
Пространство между узлами в решетке мало, поэтому для внедрения атома в междуузлия необходимо сообщить ему значительную кинетическую энергию. Процесс внедрения атомов в междуузлие сопровождается местным искажением кристаллической решетки. [32]
В процессе диффузионного насыщения железа и стали кремнием происходит внедрение атомов кремния в кристаллическую решетку покрываемого металла. При этом образуется ряд твердых растворов железа с кремнием. На глубину образующегося кремниевого покрытия влияет содержание легирующих добавок и углерода в стали. Уменьшение толщины диффузионного слоя кремния на сталях с большим содержанием углерода обуславливается образованием карбидов кремния, которые препятствуют дальнейшей диффузии. Однако, чем выше содержание углерода в покрываемом металле, тем большей твердостью обладает диффузионный слой. Помимо повышения износоустойчивости поверхностного слоя, силицирование значительно улучшает коррозионную стойкость стальных изделий в атмосфере и ряде агрессивных сред. В таблице 10 приведены данные коррозионных испытаний исходного и силицированного железа в 10-процентных водных растворах соляной, серной, фосфорной, уксусной, щавелевой кислот. [33]
Подобного рода процессы имеют большое практическое значение, ибо внедрение атомов металлов в кристаллическую решетку может вызывать разрыхление углеродистого материала. При воздействии паров калия и натрия на углеродистые блоки при 800 С было установлено, что под действием парообразного калия все углеродистые материалы превращаются в рыхлую массу. [34]
Некоторые сплавы разрушаются под напряжением в коррозионной среде вследствие внедрения атомов водорода в кристаллическую решетку. Это явление называется водородным растрескиванием или водородной хрупкостью. [35]
При повышении энергии молекул среды и их активности происходит внедрение атомов среды в кристаллическую решетку металла и образовании на поверхности металла химических пленок ( оксидов, сульфидов, хлоридов, фосфатов и др.) - возникает смазка высокого давления. Внутренние связи продукта химической реакции превосходят связи металла, поэтому реакция образования пленок смазки высокого давления необратима. Десорбция может происходить только как десорбция продуктов реакции. [36]
Селенид ртути является полупроводником л-типа проводимости, что объясняется внедрением атомов ртути в междоузлия или вакансиями в подрешетке селена. Наиболее вероятное значение ширины запрещенной зоны селенида ртути 0 2 эв, хотя в литературе встречаются указания как в сторону увеличения, так и меньше указанной величины. Для кристаллов HgSe с концентрацией электронов не менее 3 5 - 1017 слг3 подвижность их достигает 18500 см / в-сек при 300 К - Легированием не удается получить селенид ртути р-типа. Исследованием термо - и гальваномагнитных эффектов в селениде ртути было показано, что подвижность электронов в нем лимитируется рассеянием на акустических фононах. Это служит доказательством преимущественной ковалентной межатомной связи в селениде ртути. [37]
Если атомы компонентов существенно, различаются по размерам, возможно внедрение атомов одного элемента в междоузлия решетки, образованной др. элементом. [38]
При катодной поляризации металлы претерпевают значительные изменения вследствие наводороживания и внедрения атомов металлов, образующихся при разряде катионов фонового электролита. При электролизе водных растворов водород выделяется в подавляющем числе случаев, р - и sp - Металлы плохо растворяют водород и при электролизе не наводороживают-ся. [39]
При катодной поляризации металлы претерпевают значительные изменения вследствие наводороживания и внедрения атомов металлов, образующихся при разряде катионов фонового электролита. Водород выделяется в подавляющем числе случаев при электролизе водных растворов, р - и sp - Металлы плохо растворяют водород и при электролизе не наводорожи-ваются; d - металлы обладают большим сродством к водороду ( см. табл. 1.1) и поглощают его при катодной поляризации. [40]
Было высказано предположение, что это соединение образуется за счет внедрения атомов фтора в кристаллическую решетку графита, что вызывает расширение последней, причем атомы фтора превращаются в ионы за счет приобретения неспаренных электронов от атомов углерода. Лондоном [2] было дано более простое и более удовлетворительное объяснение этого явления, согласно которому атомы фтора не ионизируются, а с помощью ковалент-ных связей связываются с атомами углерода. Необходимое расширение кристаллической решетки вполне соответствует уменьшению плотности образующегося соединения по сравнению с плотностью графита. [41]
К другой разновидности радиохимического синтеза относятся методы, основанные на внедрении атомов радиоактивного изотопа в химическое соединение в процессе ядерных превращений. Радиоактивный атом, образующийся в результате ядерной реакции ( например, реакции пу), получает в результате отдачи избыточную энергию, часто значительно большую, чем энергия связи в исходной молекуле; в итоге такой горячий атом покидает материнскую молекулу и может внедриться в молекулу другого соединения, примешанного к облучаемому веществу. [42]
Сущность диффузии ( за исключением особых случаев) состоит во внедрении атомов легирующей примеси в кристаллическую решетку кремния и образовании области с противоположным типом электропроводности. Эта область ограничена р-я-пе-реходом. Количество вводимой примеси должно быть достаточным для компенсации легирующей примеси в исходном материале и для создания избытка носителей противоположного типа электропроводности. Ввиду конечной ( и очень малой) скорости диффузии концентрация введенной примеси убывает в направлении от поверхности, через которую происходит диффузия, вглубь. [43]
Твердыми растворами внедрения называются такие растворы, которые образуются в результате внедрения атомов или ионов одного вещества в свободные промежутки ( междоузлия) кристаллической решетки другого вещества - растворителя. [44]
Использованный [96] подход, весьма плодотворный при сравнительных оценках вероятных механизмов внедрения легирующих атомов в ос - А12О3 и успешно объясняющий ряд соответствующих экспериментальных данных по твердофазному растворению элементов в корунде [101,102], не позволяет выявить микроскопическую природу изучаемого процесса и интерпретировать получаемые результаты с позиций перестройки электронных состояний и системы химических связей в кристалле. [45]