Внедрение - атом - примесь
Cтраница 1
Внедрение атомов примесей в междуузлие кристаллической решетки сопровождается ее упругой деформацией. Энергия кристаллической решетки при внедрении в нее атомов небольших размеров ( водорода, кислорода, азота, углерода) увеличивается незначительно. [1]
Наличие нарушений кристаллической структуры, особенно при внедрении атомов примеси до концентрации, еще не вызывающей перестройку данной решетки, создает изменение химического состава кристалла при сохранении его формы. Как известно, пределы изменения химического состава при сохранении кристаллической структуры вещества называют широтой области гомогенности. [2]
 |
Влияние примесных атомов на кристаллическую структуру. [3] |
Наличие нарушений кристаллической структуры, особенно при внедрении атомов примеси до концентрации, еще не вызывающей перестройку данной решетки, создает изменение химического с остава кристалла при сохранении его формы. Как известно, пределы изменения химического состава при сохранении кристаллической структуры вещества называют широтой области гомогенности. [4]
 |
Влияние примесных атомов на кристаллическую структуру. [5] |
Наличие нарушений кристаллической структуры, особенно при внедрении атомов примеси до концентрации, еще не вызывающей перестройку данной решетки, создает изменение химического состава кристалла при сохранении его формы. [6]
В междоузлиях силы притяжения относительно слабы, и поэтому энергия внедрения атомов примеси в междоузлия определяется главным образом сте-рическим фактором. [7]
Основным деградационным эффектом является увеличение концентрации безызлучательных центров в активной области за счет внедрения атомов неконтролируемых примесей и образования новых дефектов. Кроме того, имеет место снижение активности излучательных центров и возрастание поверхностной рекомбинации. [8]
Такой расчет был, в частности, выполнен М. А. Кривоглазом и Е. А. Тихоновой [250] для случая внедрения атомов примеси в октаздрические междоузлия. [9]
 |
Влияние марганца на вязкость закаленной стали после отпуска ( температура указана на кривых. [10] |
Упругая энергия взаимодействия примесных атомов с полем упругих напряжений дислокации равна работе, необходимой для замещения или внедрения атома примеси в поле дислокации. [11]
При высокой температуре процесса вследствие испарения кремния на поверхности кристалла ( если она не защищена) образуются вакансии, диффундирующие в глубь кристалла. Вероятность внедрения атомов примеси в междоузлия возрастает с повышением ( концентрации примеси, так как плотность вакансий при этом падает. [12]
При высокой температуре процесса вследствие испарения кремния на поверхности кристалла ( если она не защищена) образуются вакансии, диффундирующие в глубь кристалла. Вероятность внедрения атомов примеси в междоузлия возрастает с повышением ( концентрации примеси, так как плотность вакансий при этом падает. [13]
При таком внедрении один из пяти валентных электронов каждого атома мышьяка остается свободным, так как вокруг него находятся четырехвалентные атомы германия. Следовательно, в результате внедрения атомов примеси в донорном полупроводнике появляются свободные электроны. [14]
У каждого атома индия не хватает одного электрона для образования парноэлектронной связи с одним из соседних атомов германия. Таким образом, в результате внедрения атомов примеси в акцепторном полупроводнике появляется столько дырок, сколько атомов примеси внедрено в кристалл. [15]
Страницы: 1 2