Внедрение - атом - примесь
Cтраница 2
 |
Энергетические диаграммы для традиционных и перспективных ТТЛ. [16] |
Перспективы развития ТТЛ определяются совершенствование ем их процессов изготовления. К началу 80 - х г с помощью ионной имплантации ( точно дозированного радиационного внедрения атомов примесей в полупроводниковые области) и прецизионной фотолитографии удалось уменьшить в 8 раз площадь, которую занимает на кристалле логический элемент ТТЛ. [17]
При выпаривании раствора эта равномерность нарушается, так как вначале будет выпадать в твердую фазу основа, ввиду ее значительно большей концентрации, а затем - примеси. Различные элементы будут вести себя в этом отношении различно, но в результате всего процесса - после разложения нитратов и перемешивания ( точнее, перетирания) полученных окислов - можно рассчитывать на получение наиболее равномерного и мелкодисперсного распределения примесей в основе с полным или частичным внедрением атомов примесей в кристаллическую решетку основы. [18]
На основании приведенной выше классификации механизмов внедрения, казалось бы, можно сделать вывод о том, что для данной примеси в данной основной решетке тип образующегося твердого раствора является всегда определенным. Как первоначально было показано, для сульфида кадмия [11, 12], содержащего примесь Ga, In, C1 или Ag, механизм внедрения может изменяться в зависимости от условий приготовления. Так, в системе CdS Ga в сульфирующих условиях внедрение атомов примеси сопровождается образованием вакансий, тогда как в восстановительных условиях наблюдается внедрение по механизму контролируемых электронных дефектов. В разделе XI.2.3 уже говорилось, что механизм внедрения атомов примеси в кристалл простого вещества зависит от того, являются ли они однократными или многократными донорами или акцепторами, а также от типа собственных заряженных дефектов, определяющих условие нейтральности для чистого основного кристалла. Это положение выполняется и в случае соединения. Однако здесь имеется существенное отличие. [19]
На основании приведенной выше классификации механизмов внедрения, казалось бы, можно сделать вывод о том, что для данной примеси в данной основной решетке тип образующегося твердого раствора является всегда определенным. Как первоначально было показано, для сульфида кадмия [11, 12], содержащего примесь Ga, In, C1 или Ag, механизм внедрения может изменяться в зависимости от условий приготовления. Так, в системе CdS Ga в сульфирующих условиях внедрение атомов примеси сопровождается образованием вакансий, тогда как в восстановительных условиях наблюдается внедрение по механизму контролируемых электронных дефектов. В разделе XI.2.3 уже говорилось, что механизм внедрения атомов примеси в кристалл простого вещества зависит от того, являются ли они однократными или многократными донорами или акцепторами, а также от типа собственных заряженных дефектов, определяющих условие нейтральности для чистого основного кристалла. Это положение выполняется и в случае соединения. Однако здесь имеется существенное отличие. [20]
Страницы: 1 2