Внедрение - протон
Cтраница 2
Во-вторых, сумма обменных катионов, определенная по данным химического анализа, оказалась ниже максимальной обменной емкости этих цеолитов, т.е. имеет место дефицит катионов в твердой фазе. Исходя из этого можно предположить, что двухвалентные катионы входят в цеолиты в частично или полностью гидратирован-ном состоянии, а наблюдающийся дефицит катионов, вероятно, связан либо с понижением заряда матрицы цеолита за счет внедрения протона в алюмокремнекислородные тетраэдры с образованием ОН - - группы, либо с образованием иона оксония ( Н3О) в результате взаимодействия протона с цеолитной водой, который в этом случае становится третьим конкурирующим катионом в ионообменной системе. [16]
Исследование свойств электролитического железа приводит к выводу, что существует твердый раствор протонов в железе, которые внедряются в кристаллическую решетку. Вокруг внедрившихся протонов образуется повышенная плотность электронного газа, благодаря чему увеличивается взаимное отталкивание между ионами железа. Внедрение протонов в решетку естественно вызывает сильные внутренние напряжения в кристаллах. Нагревание сообщает протонам и электронам дополнительную энергию, вследствие чего протоны образуют новые фазы в железе. Растворы протонов в железе отличаются очень высокой твердостью. Твердый раствор протонов в железе очень устойчив, он сохраняет свои свойства в течение ряда лет, однако откачка образцов электролитического железа при давлении 1 - 10 - 4 мм рт. ст. в течение 15 дней вызывает распад твердого раствора и сжатие решетки до низшего предела. Откачка при давлении 1 - 10 - 4 мм рт. ст. и 25 в течение 6 часов не изменяет параметров решетки электролитического железа. [17]
В ходе реакции в кристаллическую решетку диоксида марганца внедряются протоны, образовавшиеся из молекул воды или из ионов гидроксония Н3О раствора. Таким образом общий баланс положительных и отрицательных зарядов в кристаллической решетке не меняется. До определенного предела при внедрении протонов не изменяется и структура кристаллической решетки диоксида марганца, хотя возможно некоторое незначительное увеличение параметров решетки. Таким образом, накопление продукта реакции - оксида Мп111 - происходит без образования новой фазы, с сохранением гомогенности исходной фазы реагента. Поэтому реакции такого типа называют также гомогенными твердофазными реакциями. [18]
Поэтому вероятно, что увеличение давления водорода сопровождается возрастанием активности протона в указанной системе, точно так же как это происходит и в водных растворах. Гидрогенолиз и-пентана ( табл. 15) и его высших гомологов [114, 125], протекающий в присутствии смеси хлористый алюминий - хлористый водород, может быть следствием этой повышенной активности протона и происходит путем внедрения протона ( X), также описанного выше. [19]
 |
Оптические изменения Д и у при потенциостатическом окислении железа и гальваностатическом восстановлении пленки. [20] |
Предполагалось, что возникает пленка с пустотами или состоящая из отдельных кристаллитов. Ими была предложена зависимость 2 55 - 0 35 i. С другой стороны, прекращение изменения Д во времени может быть связано с наблюдавшимся Сато и Коэ-ном [80] уменьшением содержания железа во внешнем слое окисла ( дуплексная пленка); процесс, вызывающий это явление, заключается в образовании вакансий по иону Fe или появлении избытка окисных ионов. Такой процесс не должен приводить к заметному изменению д или х Кроме того, возможно внедрение протонов в решетку [81] ( ср. В области Ш происходит стационарный рост пленки и я приобретает более постоянное значение. Эта область предоставляет наилучшие возможности для сравнения толщин, определенных кулонометри-ческим и эллипсометрическим способами. Сравнение приводит к величине 0 242 мКл см-2 на 1 А толщины пленки, измеренной оптическим методом. [21]
В работе [2] показано, что восстановление протекает только в случае непосредственного соприкосновения частички WO3 с поверхностью электрода. В допущении существования атомов водорода нет никакой необходимости, так как трехокись вольфрама является полупроводником п-типа. К тому же следует добавить, что начальное высокое сопротивление может уменьшиться за счет миграции ионов водорода, так как в окисле устанавливается электростатическое поле значительной напряженности. Юнг [289] допускает проникновение в окисел в местах дислокаций ионов Н, имеющих малые размеры. Шмидт [273] также указывает на возможность внедрения протона в окисел. По его мнению, протоны создают донорные центры, обусловливающие проводимость окисла. [22]
Страницы: 1 2