Диодно-транзисторная схема
Cтраница 2
При необходимости поддержания точного уровня регулирования потенциала на кабеле применяются диодно-транзисторные схемы ( рис. 54), которые позволяют регулировать потенциал кабеля по потенциалу управляющего электрода при катодной ( рис. 54, а, б) и протекторной ( рис. 54, в-д) защите. [16]
На рис. 2.22 показана схема ЭПЛ, использующего схемные особенности диодно-транзисторных схем. Дискриминация осуществляется транзистором, включенным по схеме с общим эмиттером. [17]
ДСТЛ и ТТЛ сохраняют все основные свойства и особенности построения диодно-транзисторных схем при некотором улучшении их параметров. Поэтому они известны как модификации диодно-транзисторных схем МДТЛ. [18]
Обращаясь к типам неисправностей, мы обнаружили, что в случае дискретной диодно-транзисторной схемы такие неисправности, как диод с обрывом входа и 1 ( 0) на выходе вентилей, обрабатываются довольно хорошо. Наконец, вопрос моделирования интегральных схем является открытым вопросом. Мы отдаем себе отчет в существовании обоих типов неисправностей ИС и тех, которые существующий Анализатор может обрабатывать хорошо, и новых типов, которые потребуют применения более мощного метода. [19]
 |
Диодно-транзисторная схема с многоэмиттерным транзистором на входе. [20] |
На рис. 2.43, а изображена топология входных диодов ( для случая m 3) диодно-транзисторной схемы, а на рис. 2.43, б-возможный случай объединения базо-коллекторных переходов сплошной металлизацией. Полученная таким образом структура представляет по существу транзистор с несколькими эмиттерными областями, у которого перемычкой соединены база и коллектор. [21]
ДСТЛ и ТТЛ сохраняют все основные свойства и особенности построения диодно-транзисторных схем при некотором улучшении их параметров. Поэтому они известны как модификации диодно-транзисторных схем МДТЛ. [22]
 |
Интегральный элемент И - НЕ с сложным инвертором класса ДТЛ. [23] |
К этому типу схем относятся транзисторно-транзисторные схемы, во входных цепях которых используют многоэмиттерные транзисторы. Эти схемы по принципу работы, а также по важнейшим характеристикам и параметрам близки к диодно-транзисторным схемам. Схемы имеют высокое быстродействие при небольшой потреб-ляемой мощности. [24]
Из сказанного выше следует, что транзисторно-транзисторная интегральная схема занимает меньшую площадь, чем диодно-тран-зисторная схема, при одинаковом числе входов и одинаковом типе инвертора. В связи с этим для технологии производства полупроводниковых интегральных схем транзисторно-транзисторные схемы со сложным инвертором оказываются более приемлемыми, чем диодно-транзисторные схемы со сложным инвертором. [25]
Возможность использования схем этой группы в различных сочетаниях ( например, триггер может быть использован либо как счетчик, либо как элемент сдвигового регистра) придает им большую логическую гибкость. Схемы обладают средней величиной быстродействия и средним уровнем рассеиваемой мощности. Модифицированные диодно-транзисторные схемы могут работать в системах с тактовой частотой 1 - 2 Мгц. [26]
 |
Диодно-транзисторный элемент НЕ - И.| Транзисторно-транзисторный элемент НЕ - И.| Транзисторно-транзисторные схемы. а - НЕ - И для положительных сигналов. б - НЕ - ИЛИ.| Переключатель тока. [27] |
Преимущество этих схем заключается в большой нагрузочной способности по входу и возможности работы с сигналами низкого уровня. Включение диодов вместо активных сопротивлений исключает шунтирование какой-либо входной цепью сигнала, поданного в другую входную цепь, и протекание тока утечки, что, в свою очередь, позволяет иметь в схеме большее число входов при данном уровне сигналов. Одна из широко распространенных диодно-транзисторных схем, являющаяся схемой НЕ-И для положительных сигналов, показана на рис. 9.26. Если хотя бы одна из входных цепей этой схемы соединена с коллектором открытого транзистора, то выходной транзистор будет заперт. [28]
В современных ЦВМ широко применяют электромеханические компоненты и блоки, особенно в пультах управления и устройствах ввода - вывода, в которых, как правило, используют повышенные номиналы источников питания. Функционирование электромеханических устройств приводит к генерации помех высоких уровней. Если в диодно-транзисторной схеме заменить обычный диод на зенеровский диод, то значительно увеличится порог срабатывания схемы за счет добавления напряжения пробоя к нормальному падению напряжения на диоде. Чтобы снизить потребляемую мощность в диодно-транзисторных логических элементах, увеличивают номиналы сопротивлений по сравнению с обычными диодно-транзисторными логическими элементами. [29]
В схемах насыщенного типа в открытом состоянии инвертирующий транзистор работает в режиме насыщения. Они характеризуются в открытом состоянии меньшими выходными напряжениями и более высокой помехоустойчивостью. К ненасыщенным относятся логические схемы с объединенными эмиттерами и некоторые типы диодно-транзисторных схем. [30]
Страницы: 1 2 3