Cтраница 3
Из-за низкой электрической прочности туннельных диодов требуются дополнительные меры блокировки и защиты, а из-за повышенной чувствительности их к внешним помехам и наводкам типа искрение, связанной с высоким быстродействием при переключениях, необходима экранировка. Однако, любые другие элементы, например ячейки на транзисторах, при тех же скоростях переключения и уровне сигналов менее помехоустойчивы, так как не обладают врожденным стабильным порогом срабатывания. ТОР в результате проделанной работы пришел к выводу, что несмотря на указанные недостатки, не только возможно, но и предпочтительно выполнять СОЗУ при небольшом объеме памяти на туннельных диодах. Этот вывод основан на таких достоинствах туннельных диодов, как высокое быстродействие, мало-габаритность, небольшое токопотребление, широкий диапазон допустимых температур, наличие естественного и стабильного порога срабатывания и связанных с этим логических возможностей. Последние позволяют выполнять функции памяти и логики при заметно меньшем количестве р - n - переходов, чем в диодно-транзисторных схемах, и говорит о большей потенциальной надежности и экономичности схем на туннельных диодах. [31]