Транзисторно-транзисторная схема
Cтраница 1
Транзисторно-транзисторные схемы по сравнению с диодно-тран-зисторными схемами имеют меньшие задержки при одинаковой потребляемой мощности и при одном и том же числе входов транзисторно-транзисторная схема имеет меньше компонентов и соединений, а также занимает меньшую площадь на подложке. К компонентам транзисторно-транзисторных схем не предъявляют жестких требований. Но при переключении транзисторно-транзисторных схем в цепях питания и заземления возникают большие помехи. Поэтому при конструировании систем необходимо применять специальные методы для обеспечения требуемой помехоустойчивости. [1]
Транзисторно-транзисторные схемы с двухкаскадными усилителями, реализующие функции И и ИЛИ ( группы 5 и 6), позволяют в сочетании с TTL-схемами, реализующими функции И-НЕ и ИЛИ-НЕ, повысить гибкость проектирования цифровых устройств. [2]
 |
Разновидности интегрального элемента И - НЕ со сложным инвертором. [3] |
Транзисторно-транзисторная схема также превосходит диодно-транзисторную схему по динамическим характеристикам: обладает меньшими задержками включения и выключения при одинаковых параметрах транзисторов и потребляемой мощности. [4]
Простые транзисторно-транзисторные схемы характеризуются низкой помехоустойчивостью, малым коэффициентом разветвления по выходу, а также жесткими требованиями к параметрам элементов. Поэтому по мере совершенствования технологии изготовления полупроводниковых интегральных схем были разработаны и получили широкое применение логические схемы со сложным инвертором, использование которого позволяет в значительной мере устранить указанные недостатки, а следовательно, повысить процент выхода годных схем. [5]
Основные разновидности транзисторно-транзисторных схем И - НЕ представлены на рис. 3.37, а, б, в, г. Назначение компонентов в схемах сложных инверторов то же, что и у диодно-транзис-торных схем. Все они в отличие от простой схемы ( см. рис. 3.36) имеют сложные схемы инверторов, содержащие несколько транзисторов. [6]
В чем заключается преимущество транзисторно-транзисторной схемы ряс. [7]
 |
Интегральный элемент И - НЕ с сложным инвертором класса ДТЛ. [8] |
К этому типу схем относятся транзисторно-транзисторные схемы, во входных цепях которых используют многоэмиттерные транзисторы. Эти схемы по принципу работы, а также по важнейшим характеристикам и параметрам близки к диодно-транзисторным схемам. Схемы имеют высокое быстродействие при небольшой потреб-ляемой мощности. [9]
 |
Реализация монтажного ИЛИ на элементах ДТЛ-типа. [10] |
Сложный инвертор будет подробно рассмотрен ниже при анализе транзисторно-транзисторных схем, в которых он является неотъемлемой частью элементов. [11]
Из большого числа схемотехнических реализаций ИС потенциального типа наиболее распространены диодно-транзисторные ИС ( ДТЛ), транзисторно-транзисторные схемы ( ТТЛ) и ИС на МДП транзисторах. [12]
Транзисторно-транзисторные схемы по сравнению с диодно-тран-зисторными схемами имеют меньшие задержки при одинаковой потребляемой мощности и при одном и том же числе входов транзисторно-транзисторная схема имеет меньше компонентов и соединений, а также занимает меньшую площадь на подложке. К компонентам транзисторно-транзисторных схем не предъявляют жестких требований. Но при переключении транзисторно-транзисторных схем в цепях питания и заземления возникают большие помехи. Поэтому при конструировании систем необходимо применять специальные методы для обеспечения требуемой помехоустойчивости. [13]
Транзисторно-транзисторные схемы по сравнению с диодно-тран-зисторными схемами имеют меньшие задержки при одинаковой потребляемой мощности и при одном и том же числе входов транзисторно-транзисторная схема имеет меньше компонентов и соединений, а также занимает меньшую площадь на подложке. К компонентам транзисторно-транзисторных схем не предъявляют жестких требований. Но при переключении транзисторно-транзисторных схем в цепях питания и заземления возникают большие помехи. Поэтому при конструировании систем необходимо применять специальные методы для обеспечения требуемой помехоустойчивости. [14]
Из сказанного выше следует, что транзисторно-транзисторная интегральная схема занимает меньшую площадь, чем диодно-тран-зисторная схема, при одинаковом числе входов и одинаковом типе инвертора. В связи с этим для технологии производства полупроводниковых интегральных схем транзисторно-транзисторные схемы со сложным инвертором оказываются более приемлемыми, чем диодно-транзисторные схемы со сложным инвертором. [15]
Страницы: 1 2