Транзисторно-транзисторная схема

Cтраница 2

Совместимость п - и р-канальных матриц с биполярными логическими ИС является одним из важнейших свойств матриц ОЗУ. Применение низкопороговых канальных транзисторов с кремниевыми и металлическими затворами позволяет получить полную совместимость по входным и выходным уровням транзисторно-транзисторных схем на биполярных транзисторах. Матрицы ОЗУ на биполярных транзисторах, вероятно, не будут иметь конкуренции по сверхвысокому быстродействию с матрицами на канальных униполярных транзисторах. Они полностью совместимы с логическими ИС на биполярных транзисторах и имеют большую степень интеграции элементов. В матрице на биполярных транзисторах в качестве запоминающих элементов используются триггеры на логических ИС транзисторно-транзисторного типа или переключателях тока. Последние обладают более высоким быстродействием вследствие высокой скорости работы базового логического элемента триггера. Повышение скорости работы транзисторно-транзисторных логических элементов требует введения новых компонентов ( например, диодов Шоттки) для устранения насыщения транзисторов. Применение переключателей токов позволяет получить наименьшие плотности упаковки элементов при большем быстродействии. [16]

Совместимость - матриц п - и р-типов с биполярными логическими схемами является одним из важнейших показателей матриц ОЗУ. Применение низкопороговых канальных транзисторов с кремневыми и металлическими затворами позволяет получить их полную совместимость по входным и выходным уровням транзисторно-транзисторных схем на биполярных транзисторах. [17]

Схемы буферных усилителей на [ IMAGE ] Логическая схема ИЛИ - МДП-транзисторах р-типа. ИЛИ-НЕ на МДП-транзисторах.| Схема одноразрядного сумматора на МДП-транзисторах р-типа. 40. [18]

Для обеспечения высокой нагрузочной способности сложных МДП-ИС в схемы вводятся специальные буферные усилительные эле-мгнты, обеспечивающие работу схемы на емкостную нагрузку Сн. На рис. 1.35 представлены буферные элементы на МДП-транзисторах / э-типа, реализующие функции НЕ и ДА, у которых выход схемы выполнен по аналогии с симметричным транзисторным выходом транзисторно-транзисторных схем. В таких схемах пергзаряд емкости осуществляется всегда через открытый МДП-транзистор. [19]

Транзисторно-транзисторные схемы по сравнению с диодно-тран-зисторными схемами имеют меньшие задержки при одинаковой потребляемой мощности и при одном и том же числе входов транзисторно-транзисторная схема имеет меньше компонентов и соединений, а также занимает меньшую площадь на подложке. К компонентам транзисторно-транзисторных схем не предъявляют жестких требований. Но при переключении транзисторно-транзисторных схем в цепях питания и заземления возникают большие помехи. Поэтому при конструировании систем необходимо применять специальные методы для обеспечения требуемой помехоустойчивости. [20]

Страницы: 1 2