Cтраница 1
Изменение числа носителей ( например, электронов) в единицу времени в единице объема есть разность между числом освобождаемых носителей, которая, как мы видели, может быть записана в виде pfe / [ см. (1.5) ], и числом рекомбинирующих носителей. В настоящем параграфе мы, пока не вдаваясь в детали механизма рекомбинации, рассмотрим два следующих важных частных случая. [1]
Q - изменение числа носителей, связанное с их диффузией, миграцией и другими причинами; t - время. [2]
Выражение (7.9) показывает изменение числа носителей dnt в объеме dtt, при рассеянии. [3]
Выражение (7.10) показывает изменение числа носителей dnt, в объеме dtk при рассеянии. [4]
Выражение (7.9) показывает изменение числа носителей dnt в объеме dtt, при рассеянии. [5]
Это позволяет учитывать как изменение числа носителей зарядов, так и изменение поляризуемости и дипольных моментов промежуточных продуктов превращения газочувствительных веществ на поверхности активного слоя сенсора. [6]
Очень сильные электрические поля могут привести к более радикальным переменам, например к изменению числа носителей заряда, Как раз это происходит в электрической искре. [7]
Основные шумы тепловых приемников - тепловой шум, обусловленный флуктуацией температуры в приемном элементе, шум сопротивления ( пли шум Джонсона), вызванный флуктуацией концентрации электронов проводимости при их тепловом движении, токовый шум ( в полупроводниковых приемниках), обусловленный изменением числа носителей при прохождении тока. [8]
Марганец вводит уровень при мерно 0.16 эв, как видно по изменению ординаты между 4 и 8 по оси абсцисс. Изменение числа носителей между 10 и 20 по оси абсцисс соответствует энергии 0 054 эв. [9]
Одним из - способов создания модулятора является использование эффекта поглощения ИК излучения неравновесными свободными носителями заряда в объеме полупроводника. Модуляция происходит за счет изменения числа носителей при их инжекции через р-п переход. [10]
Вывод ( 7mjn использует понятие о диффузии на краю подвижности и предполагает, по аналогии с металлами, постоянство коэффициента диффузии kBTfi, а следовательно, и независимость ( 7min от температуры. Это означает, что при ( EF - Ес) 0 изменение числа носителей над краем подвижности носит активационный характер, а подвижность падает как Т-1. [11]
Работа полупроводниковых приборов [1, 21] основана на внутреннем фотоэффекте, проявляющемся в том, что при воздействии излучения изменяется удельная электрическая проводимость полупроводникового вещества за счет изменения числа носителей зарядов ( электронов или дырок), количество которых связано с интенсивностью излучения и его энергий. Для регистрации ионизирующих излучений используют полупроводниковые резисторы с одним проводящим слоем и устройства с несколькими слоями, имеющими различные типы проводимости. [12]
Последнее зависит от химического строения и структуры моющих присадок. В частности, реакционная способность многозольных апкилсалицилатов по отношению к кислоте значительно выше, чем у сульфонатов. Добавление кислоты к растворам моющих присадок приводит к изменению числа носителей заряда, что выражается в изменении электропроводности раствора. Причем в растворах сали-цилатных присадок имеют место более интенсивные изменения, чем в растворах сульфонатных присадок. [13]
Все указанные выше явления связаны с тем, что на поверхности полупроводника всегда имеется тонкая окисная пленка. Окисная пленка впитывает молекулы воды и ионы металлов, которые заполняют поры и микрощели. Окисная пленка может отдавать или захватывать электроны, вызывая изменение числа носителей тока в поверхностном слое полупроводника. [14]
Для примесных полупроводников возможны два случая. Если образованные дефекты оказывают влияние на концентрацию второстепенных носителей тока, то происходят очень значительные изменения в свойствах твердого тела. Действительно, если учесть, что произведение числа электронов проводимости на число дырок постоянно при данной температуре ( пр jV2), то изменение числа второстепенных носителей тока приведет к одновременному изменению числа главных носителей тока. Поскольку концентрация второстепенных носителей тока может быть очень низка, даже меньше 1010 г - 1, то возможно, что в противоположность предыдущему случаю эффекты будут значительны; для относительно малых доз радиационной энергии могут наблюдаться изменения типа проводимости образца. [15]