Cтраница 2
Униполярный полевой транзистор существенно отличается от точечно-контактных или плоскостных транзисторов биполярного типа. Как в транзисторах биполярного типа поток электронов ( дырок) управляет потоком дырок ( электронов), так и в случае рассмотренного нами униполярного транзистора поток избыточных дырок в дырочной области управляет потоком электронов в канале. Отличие же заключается в том, что в нашем случае управляющий и управляемый токи не только различны по знаку носителей тока, но и текут в разных областях. В униполярном полевом транзисторе изменение числа носителей тока, переносящих ток по каналу от источника к стоку, определяется амплитудой модулирующего переменного сигнала, поданного на р-затвор. Налицо полная аналогия с электронной лампой, в которой потенциал сетки определяет величину анодного тока, но носители тока, переносящие ток сигнала в сеточном контуре, не принимают сколько-нибудь заметного участия в токе, протекающем в цепи катод - анод. Это обстоятельство обусловливает важное для практики преимущество униполярного полевого транзистора-его лучшую, чем у биполярных триодов, частотную характеристику. [16]
Известно, что средняя скорость молекул газа зависит от температуры и не зависит от плотности. Можно думать, что ае зависит только от размеров молекул. Таким образом, наш очень простой вывод сводится к тому, что теплопроводность к ( а следовательно, и скорость потока тепла в каждом частном случае) не зависит от плотности газа. Изменение числа носителей энергии при изменениях плотности в точности компенсируется изменением расстояния, которое пробегает носитель между столкновениями. [17]
Очищенную поверхность погружают на короткое время в силан, после чего при темп-ре 120 производят полимеризацию в термостате, в результате чего на поверхности образуется силиконовый полимер. Нестабильность Ш1 может быть связана с наличием на его поверхности недоброкачеств. Эта пленка, находящаяся между ПП и окружающей средой, не очень плотно примыкает к ПП и не может подвергаться непосредств. Будучи открытым пористым материалом, подобным силикагелю, окисная пленка впитывает воду и ионы металлов, заполняя поры и щели. Окисная пленка может отдавать или захватывать электроны, вызывая изменение числа носителей заряда в приповерхностной области ПП, что влечет за собой изменение параметров прибора. Это св-во окисной пленки зависит как от самих примесей в окиси, так и от окружающей среды. Как следует из опытов по эффекту поля, толстые окисные пленки, полученные в определ. [18]
Очищенную поверхность погружают на короткое время в силан, после чего при темп-ре 120 производят полимеризацию в термостате, в результате чего на поверхности образуется силиконовый полимер. Нестабильность ПП может быть связана с наличием на его поверхности недоброкачеств. Эта пленка, находящаяся между ПП и окружающей средой, не очень плотно примыкает к ПП и не может подвергаться непосредств. Будучи открытым пористым материалом, подобным силикагелю, окисная пленка впитывает воду и ионы металлов, заполняя поры и щели. Окисная пленка может отдавать или захватывать электроны, вызывая изменение числа носителей заряда в приповерхностной области ПП, что влечет за собой изменение параметров прибора. Это св-во окисной пленки зависит как от самих примесей в окиси, так и от окружающей среды. Как следует из опытов по эффекту поля, толстые окисные пленки, полученные в определ. [19]