Изменение - время - релаксация
Cтраница 1
Изменение времени релаксации в зависимости от скорости и величины деформации ( снижение вязкости с ростом скорости и величины деформации) приводит, как и при распространении волны в стержнях, к снижению напряжений и деформаций за упругим фронтом перед пластической волной. [1]
На изменение времени релаксации с расстоянием ( табл. 35) не могут оказывать влияние процессы восстановления главных зарядов после их нейтрализации при разряде. Поэтому Тамура [545] предположил, что, кроме главных зарядов, существует еще объемный заряд над облаком, который создает дополнительную компоненту поля, зависящую от расстояния. [2]
Если сопоставить изменение времен релаксации переориентации для растворов LiCl и СаС12 в н-сниртах с изменением вязкости для этих же растворов ( табл. 4), то легко заметить, что расположение этих изотерм обратное. Наибольшее изменение времени релаксации имеет место в растворах LiCl или CaCla в метаноле, наименьшее - для растворов этих солей в амиловом спирте; наибольшее же изменение вязкости наблюдается для растворов этих солен в амиловом спирте, наименьшее - в метиловом. Таким образом, изменение вязкости не определяет изменения величин времени релаксации. [3]
В целом изменение времени релаксации оптического отклика с толщиной соответствует аналогичному измерению времени релаксации деформации, связанному с вязкоупругими свойствами ЖК. Отличия связаны, видимо, со взаимодействием ОАД и нематической матрицы, а также со значительной величиной деформации слоя ЖК. [4]
 |
Зависимость частоты максимума фактора диэлектрических потерь от температуры. [5] |
Наряду с изменением наивероят-нейшего времени релаксации для полимеров изотактического строения наблюдались меньшие значения энер - гии активации. Различие в значениях энергии активации и наи-вероятнейших тр для растворов полимеров изо - и атактического строения обусловлены неодинаковым внутримолекулярным взаимодействием. [6]
 |
Зависимость. gar от. [7] |
Таким образом, изменение времени релаксации вследствие падения напряжения связывалось с понижением энергии активации, описывающей процесс, ответственный за перемещение сегментов макромолекул. [8]
Изменение конформационной энтропии связано с изменением времени релаксации теплового движения сегментов. [9]
Теория Адама - Гиббса удовлетворительно описывает изменение времени релаксации т сегментального движения и Tg аморфных областей при изменении степени кристалличности в кристаллических полимерах. [10]
 |
Температурное нение свободного и объемов. [11] |
Хотя теория Адама - Гиббса удовлетворительно объясняет изменение времени релаксации с темп-рой, с ее помощью не удается объяснить наличие наблюдающегося на опыте широкого распределения времен релаксации и температурную зависимость такого распределения. [12]
Электропроводность металла при изменении внешних условий меняется только из-за изменения времени релаксации, которое зависит от температуры и концентрации дефектов кристаллической решетки. Однако число носителей зарядов - свободных электронов - остается постоянным. В полупроводнике дело обстоит совершенно иначе. Главная причина изменения электропроводности полупроводника заключается в изменении концентрации носителей заряда. [13]
Бломберген, Перселл и Паунд предложили теорию, объясняющую характер изменения времен релаксации TI и Т2 для вязких жидкостей. [14]
Бломберген, Перселл и Паунд предложили теорию, объяс-ияющую характер изменения времен релаксации TI и Т2 для вязких жидкостей. [15]
Страницы: 1 2 3 4