Изменение - время - релаксация
Cтраница 4
На рис. 181 показана графическая зависимость е и tg6 от температуры для полиметилвинилкетона. В интервале от - 70 до 20JC г остается практически постоянным, а в диапазоне 20 - 80 С г возрастает почти в 4 раза; в этом же интервале tg6 проходит через максимум Подобный ход кривых связан прежде всего с изменением времени релаксации, которое находится в экспоненциальной зависимости от температуры. [46]
Пейтел, Слашер и Флери [551] наблюдали эффективное смешение третьего порядка излучения лазера на СО2 с длинами волн 10 6 и 9 6 мкм при его распространении через образы n - типа следующих полупроводников: InAs, InSb, GaAs и PbTe. Проведенное параллельно теоретическое рассмотрение [805] показало, что найденные в этих экспериментах большие величины нелинейной восприимчивости х ( 3 связаны с непараболичностью зон проводимости Другой вклад в нелинейность, рассмотренный теоретически Ко [361], а также Кришнамурти и Паранджапом [378], связан с изменением времени релаксации в зависимости от энергии. Оба эти эффекта будут рассмотрены одновременно на основе простого классического уравнения движения свободного электрона. [47]
Согласно [40], при гидратации под действием ионов изменяется величина потенциальных барьеров между соседними возможными положениями адсорбированных молекул воды. Если это время определяет и время диэлектрической релаксации, то отмеченный нами факт изменения времени релаксации для процесса типа / при адсорбции воды на магниевой и натриевой формах цеолита становится легко объяснимым. Адсорбированная вода, обнаруживающая релаксацию типа /, должна быть локализована в больших полостях цеолита. Так, оказалось, что при изучении диэлектрических свойств гидра-тированного цеолита Ж ( цеолит был синтезирован С. П. Ждановым и предоставлен нам для исследования), который имеет только малые полости, релаксационный процесс I при адсорбции воды до 50 % заполнения не был обнаружен. [48]
Согласно [40], при гидратации под действием ионов изменяется величина потенциальных барьеров между соседними возможными положениями адсорбированных молекул воды. Если это время определяет и время диэлектрической релаксации, то отмеченный нами факт изменения времени релаксации для процесса типа / при адсорбции воды на магниевой и натриевой формах цеолита становится легко объяснимым. Адсорбированная вода, обнаруживающая релаксацию типа /, должна быть локализована в больших полостях цеолита. Так, оказалось, что при изучении диэлектрических свойств гидра-тированного цеолита Ж ( цеолит был синтезирован С. П. Ждановым и предоставлен нам для исследования), который имеет только малые полости, релаксационный процесс / при адсорбции воды до 50 % заполнения не был обнаружен. [49]
Для того чтобы получить зависимость времени релаксации т движения сегментов от степени кристалличности х, необходимо найти связь между х и к. Как правило, плотность полимера растет при увеличении кристалличности, но иногда встречается и противоположная зависимость. Если зависимость p f ( x) всюду линейна, то х1 и описанный выше механизм не приводит к изменению времени релаксации сегментальной подвижности. [50]
ГЭП и свидетельствует о степени структурной упорядоченности в-ва. Диапазоны изменений времени релаксации - от неск. [51]
 |
Зависимость удельного объема полиэтилентерефталата от. [52] |
Известно [133], что у низкомолекулярных полярных жидкостей и кристаллов на кривых зависимости тангенса угла диэлектрических потерь ( tg 8) от частоты при Т const наблюдаются максимумы, обусловленные вращением диполей. В первом приближении можно считать, что максимум tg о обнаруживается при частоте си, для которой выполняется условие uTjl, где TO - время релаксации молекулы. Величина т о, в свою очередь, определяется размерами полярной молекулы и вязкостью среды, в которой происходит вращение. При измерении температурной зависимости tgo и toconst также обнаружены максимумы, которые связаны с изменением времени релаксации ъ 0 с температурой. Вышеописанные диэлектрические потери обычно называют дипольными потерями. [53]
В работе [5] показано, что для полупроводников со многими минимумами главную роль в изменении сопротивления при деформации ( типа наблюдавшегося Смитом [10] для кремния и германия) играют два эффекта. Во-первых, при наличии анизотропного напряжения сдвиг края зоны у разных минимумов оказывается различным. В результате степени заполнения областей вблизи разных минимумов изменяются неодинаково. Вклад в пьезо-сонротивление, обусловленный этим эффектом электронного переноса, пропорционален анизотропии тензора проводимости для отдельного минимума и обратно пропорционален абсолютной температуре. Во-вторых, при наличии напряжений изменяются энергии минимумов, близ которых находятся возможные конечные состояния для процессов рассеяния с перебросом носителей тока из одного минимума в другой. Если эти процессы рассеяния существенны, то наложение напряжения ведет к изменению времен релаксации. Два указанных эффекта, а также другие, гораздо менее существенные, дают аддитивные вклады в тензор пьезосопротивления. [54]
Страницы: 1 2 3 4