Изменение - высота - потенциальный барьер
Cтраница 1
Изменение высоты потенциального барьера под действием внешней разности потенциалов вызывает также явления инжекции и экстракции неосновных носителей. [1]
 |
Схема, показывающая деформацию. [2] |
Из-за изменения высоты потенциальных барьеров изменяется частота переходов как в направлении действия силы, так и в противоположном направлении. Это вызывает сдвиг динамического равновесия между переходами в разных направлениях и приводит к возникновению направленного течения. [3]
На дрейфовый ток изменение высоты потенциального барьера не нлияет, так как этот ток определяется только количеством неосновных носителей заряда, переносимых через р-и-переход в единицу времени з результате их хаотического теплового движения. [4]
На дрейфовый ток изменение высоты потенциального барьера не влияет, так как этот ток определяется только количеством неосновных носителей заряда, переносимых через p - n - переход в единицу времени в результате их хаотического теплового движения. [5]
 |
Деформационные характеристики кремниевых тензорезисторов с проводимостью р - и п-типа. [6] |
Принцип действия тензодиода основан на изменении высоты потенциального барьера в р-и-переходе при деформации полупроводника. В качестве тензодиодов могут быть использованы туннельные диоды, динамическое сопротивление которых зависит от степени деформации и мало зависит от температурных изменений. При шунтировании туннельного диода сопротивлением, величина которого соизмерима с отрицательным сопротивлением диода, можно получить величину К. [7]
 |
Работа выхода с различных кристаллографических поверхностей вольфрама. [8] |
Адсорбция приводит к возникновению на поверхности диполей и изменению высоты потенциального барьера, который должен преодолеть электрон, чтобы оторваться от поверхности. [9]
Влияние температуры на физические параметры транзистора связано с изменением высоты потенциального барьера [ см. формулу (3.5) ], подвижности носителей заряда и их концентрации. Наиболее заметное влияние оказывает температура на величину коэффициента усиления тока j3, что связано с временем рекомбинации подвижных носителей заряда в базе. Для большинства транзисторов относительная скорость изменения этого коэффициента dp / ( MT составляет ( 0 005 - 0 01) К - в диапазоне ( 20 - 40) С, но при дальнейшем повышении температуры скорость роста замедляется, а для отдельных типов становится даже отрицательной, обычно при ( 50 - 60) С. [10]
Фрей, при приложении внешнего электрического поля, наряду с изменением высоты потенциального барьера за счет наклона зон и сил зеркального отображения, требуется учитывать эффект Пула-Френкеля. [11]
Таким образом, управление анодным током / а в диоде осуществляется путем изменения высоты потенциального барьера фт в околокатодной области. [12]
При уменьшении толщины подзатворных диэлектриков необходимо учитывать не только интерференционные явления, но и влияние изменения высоты потенциального барьера в зависимости от толщины пленки оксида. С уменьшением толщины двуокиси кремния до нескольких нанометров высота эффективного потенциального барьера падает и становится равной для электронов 2 эВ при толщине диэлектрика 2 нм. [13]
Однако автору неизвестны экспериментальные работы, в которых проводилось бы прямое сопоставление изменения скорости хемосорбции при увеличении покрытия с изменением высоты потенциального барьера для хемосорбции. [14]
 |
Плоская модель транзисто - Ра ( и потенциальная диаграмма ( б. [15] |
Страницы: 1 2