Изменение - высота - потенциальный барьер
Cтраница 2
В транзисторе источником электронов является эмиттер, функции анода выполняет коллектор, функции сетки - база, а управление потоком электронов осуществляется путем изменения высоты потенциального барьера в эмиттерном переходе. На коллектор транзистора подается положительное напряжение ыч ( порядка единиц - десятков вольт), запирающее коллекторный переход и препятствующее переходу электронов из коллектора в базу. [16]
 |
Зависимость периода индукции от концентрации натрия в тройном. [17] |
Такое изменение величин Е, и Е2 можно объяснить, пред-полда что при введении калия в сплав NaPb закономерно вменяется постоянная кристаллической решетки, что приводит к изменению высоты потенциального барьера при реакции Г Н С1 со сплавом NaPb. Некоторая оптимальная величина постоянной кристаллической решетки отвечает минимуму энергии активации. [18]
Распределенная линия в схеме на рис. 1 - 4 моделирует диффузионные процессы в базе, а усилитель / С-процессы в коллекторном p - n - переходе, связанные с изменением высоты потенциального барьера. [19]
Теперь можно сделать вывод о том, каким образом осуществляется изменение анодного тока при изменении анодного напряжения в режиме объемного заряда. Этот процесс определяется изменением высоты потенциального барьера около катода. Если анодное напряжение увеличивается, то барьер становится ниже, его преодолевает больше электронов и анодный ток возрастает. [20]
 |
Электрическое поле в триоде при нулевом напряжении сетки ( а и при. [21] |
Управление током в триоде с помощью сетки аналогично управлению током в биполярном транзисторе. В транзисторе изменение напряжения на эмиттерном переходе вызывает изменение высоты потенциального барьера в этом переходе и в результате изменяется ток эмиттера. Сетка не только управляет катодным током, но и существенно изменяет действие анода. Большая часть поля анода задерживается сеткой; лишь незначительная часть поля проникает сквозь сетку и достигает потенциального барьера у катода. Таким образом, сетка экранирует катод от анода и ослабляет действие анода на потенциальный барьер около катода. Говорят, что сетка задерживает или перехватывает большую часть силовых линий электрического поля, созданного анодом. [22]
Рассмотрим теперь прохождение токов в цепях транзистора при замыкании всех трех ключей. Как видно из рис 7.7, подключение транзистора к внешним источникам питания приводит к изменению высоты потенциальных барьеров р-п переходов. Потенциальный барьер эмиттерного перехода понижается, а коллекторного - увеличивается. [23]
Ионное легирование базы ( ионная имплатания) ДШ очень сильно изменяет радиационные характеристики приборов. Столь сильное изменение т может быть обусловлено следующими физическими механизмами: туннелированием носителей через глубокие уровни ловушек в запрещенной зоне полупроводника, изменением высоты потенциального барьера, уменьшением концентрации свободных носителей, процессами генерации-рекомбинации в обедненном слое перехода. [24]
 |
Включение транзистора схеме с общей базой. [25] |
В схеме с общим эмиттером входной цепью является цепь базы. Изменение высоты потенциального барьера вызывает соответствующую инжекцию носителей. Большинство инжектированных носителей доходит до коллекторного перехода, изменяя его ток. Основной носитель, введенный в базу, либо может исчезнуть вследствие рекомбинации, либо инжектироваться в эмиттер. Как указывалось, в транзисторе приняты меры, чтобы вероятность этого была мала, и на один основной носитель, вошедший в базу, приходится много неосновных носителей, прошедших от эмиттера до коллектора. В этом и заключается усиление по току в схеме с общим эмиттером. Усиление по мощности в данном случае объясняется аналогично усилению в схеме с общей базой. [26]
 |
Включение транзистора в схеме с общей базой. [27] |
В схеме с общим эмиттером входной цепью является цепь базы. Изменение высоты потенциального барьера вызывает соответствующую инжекцию неосновных носителей заряда. Большинство инжектиро-ванныхно сителей доходит до коллекторного перехода, изменяя его ток. [28]
В схеме с общим эмиттером входной цепью является цепь базы. Изменение высоты потенциального барьера вызывает соответствующую инжекцию неосновных носителей заряда. Большинство инжектированных носителей доходит до коллекторного перехода, изменяя его ток. Основной носитель заряда, введенный в базу из вывода базы, либо может исчезнуть вследствие рекомбинации, либо может быть инжектирован в эмиттер. Как указывалось, в транзисторе приняты меры, чтобы вероятность этого была мала, и на один основной носитель заряда, вошедший в базу, приходится много неосновных носителей заряда, прошедших от эмиттера до коллектора. В этом и заключается усиление по току в схеме с общим эмиттером. Усиление по мощности в данном случае объясняется аналогично усилению в схеме с общей базой. [29]
Полученные соотношения имеют довольно простой физический смысл. В невырожденном полупроводнике носители заряда подчиняются статистике Больцмана; следовательно, число их с энергией выше некоторой величины экспоненциально падает с увеличением этой энергии. В состоянии равновесия концентрация неосновных носителей заряда по одну сторону перехода равна концентрации основных носителей по другую сторону перехода, имеющих энергию, большую на ( 7фкон При изменении высоты потенциального барьера количество носителей, имеющих энергию, достаточную для его преодоления, изменяется в eiulhT раз, что и характеризуется формулами ( В. [30]
Страницы: 1 2