Изменение - габитус - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Самый верный способ заставить жену слушать вас внимательно - разговаривать во сне. Законы Мерфи (еще...)

Изменение - габитус

Cтраница 1


Изменение габитуса происходит не только в случае водных растворов. Оно имеет место также и при работе со спиртовыми растворами. Объяснение этого явления пока твердо еще не установлено. По Керну, структура пересыщенного раствора должна отличаться от структуры насыщенного раствора. Если пересыщение растет, концентрация растворителя в растворе уменьшается, так что на поверхности раздела кристалл - раствор происходит десольватация. Эта десольватация более легко идет на гранях с небольшим электростатическим полем и затруднена на гранях с большим электростатическим полем.  [1]

2 Кристалл антраниловой кислоты, выращенный из водного раствора и продолжавший расти в этиловом спирте ( а. Кристалл, выращенный в спиртовом растворе, перенесенный и продолжавший расти в уксуснокислом растворе ( б. [2]

Изменение габитуса объясняют обычно исходя из предположения, что добавленные вещества адсорбируются на кристаллических гранях, в результате чего происходит уменьшение скорости роста. Адсорбированная примесь может включаться, а может и не включаться в кристалл. Во втором случае все маленькие кристаллы ориентированы одинаково; Нейхауз [55] показал, что между элементарными ячейками двух веществ существуют простые геометрические соотношения.  [3]

Действительно, изменение габитуса часто бывает связано с адсорбцией примеси на кристалле.  [4]

5 Внешний вид кристаллов операций 1 и 2 через каждые. [5]

Очевидно, что изменение габитуса получаемых кристаллов обусловлено отложением примесей на гранях, из-за чего рост кристаллов замедляется. При этом происходит искажение архитектоники кристалла без изменения состава самого кристалла.  [6]

Если проследить за изменением габитуса при использовании разных растворителей ( см. раздел 111 2), то нетрудно заметить, что одинаковые изменения часто вызывают растворители, которые близки химически; например, различные амины оказывают на йодоформ одинаковое действие. Это может свидетельствовать о хорошем пространственном соответствии при укладке молекул примеси на развивающейся грани.  [7]

Причиной ятрогенных болезней может быть изменение габитуса растений под действием пестицида. Например, ретардант хлорхолинхлорид вызывает карликовость зерновых. С одной стороны, обработки этим препаратом предотвращают полегание растений и развитие корневой гнили, а с другой стороны, ведут к усилению развития сразу нескольких болезней: септо-риоза ( особенно на колосе), мучнистой росы, ржавчины, фуза-риоза. Более раннее и сильное поражение колоса на обработанных хлорхолинхлоридом растениях объясняется тем, что под действием ретарданта соломина укорачивается, расстояние между ярусами листьев уменьшается, что создает условия для более быстрого распространения болезни.  [8]

Замена растворителя часто приводит к изменению габитуса, особенно-если имеет место сильное взаимодействие между молекулами растворителя и растворенного вещества.  [9]

В литературе имеются многочисленные ссылки на изменение габитуса кристаллов примесями.  [10]

В практических условиях, очевидно, для изменения габитуса и размеров кристаллов в желательном направлении процесс кристаллизации сульфата кальция следует направить таким образом, чтобы в начале кристаллизации воспрепятствовать адсорбции MgS04 кристаллами CaS04 и чтобы зарождение кристаллов сульфата кальция происходило в фосфорнокислой, а не в сернокислой среде. При этом избыток сульфат-иона должен быть лишь в таком количестве, которое необходимо для изометрического огранения кристаллов.  [11]

Можно полагать, что в обоих случаях за изменение габитуса ответственно образование комплексных соединений, так как кристаллические структуры последних, соответственно ЫаС1 - СО ( ЫН2) 2 Н2О и NH4C1 - CO ( NH2) 2, имеют области, близкие к структурам компонентов.  [12]

Известно, что адсорбция и внедрение ионов прцмесей являются одной из основных причин изменения габитуса кристаллов.  [13]

Рост малых кристаллов в своем пересыщенном растворе в свободном состоянии отвечает принципу Кюри-Вульфа о изменении габитуса в соответствии со стремлением свободной поверхностной энергии кристалла к минимуму. Когда же растущий кристалл встречает препятствие, то дальнейший процесс связан с ограничением роста этого кристалла в одном направлении и в таких условиях проявляется так называемое кристаллизационное давление.  [14]

Иногда изменением рН раствора можно уменьшить содержание примесей в кристаллах, однако при этом возможно изменение габитуса кристаллов или коррозионной активности среды. В некоторых случаях для достижения высокой степени чистоты следует перекристаллизовывать продукт.  [15]



Страницы:      1    2