Темп - генерация
Cтраница 1
Темп генерации возрастает с повышением температуры. [1]
Экспериментальные исследования температурных зависимостей темпа генерации, проведенные различными авторами на кремниевых МДП структурах, показали, что как объемная, так и поверхностная биполярная генерация на истощенной поверхности определяется достаточно глубокими генерационными центрами, локализованными вблизи середины запрещенной зоны. В качестве примера на рис. 5.11 показаны температурные зависимости характеристического времени t0, соответствующего окончанию релаксационного процесса после приложения импульса истощающего напряжения, измеренные на кремниевых структурах МДП. [2]
Таким образом, при неизменном темпе генерации удельная фотопроводимость больше в тех полупроводниках, у которых свободные носители имеют большее время жизни и большую подвижность. Величина G определяется процессами взаимодействия света с полупроводником. Интенсивность монохроматического света / на глубине х связана с интенсивностью / о У поверхности полупроводника соотношением / / 0ехр ( - ах), где а - линейный коэффициент поглощения света. [3]
Следовательно, в общем случае темп объемной генерации GD зависит как от характера температурной зависимости собственной концентрации nt, так и от параметров генерационно-активных центров. Аналогичная картина характерна и для температурных зависимостей поверхностной генерации. В случае образования вблизи поверхности инверсионных каналов энергетическое положение рабочего генерационного уровня задается положением квазиуровня Ферми для неосновных носителей. [4]
Величина области прогрева пласта впереди фронта горения в значительной мере определяется темпом генерации тепла на фронте горения ( а следовательно, темпом нагнетания воздуха) и водовоздушным фактором, С увеличением последнего размер области прогрева пласта увеличивается. Если процесс влажного горения осуществляется при максимально возможном-значении водовоздушного фактора или близком к нему, то практически все-накопленное в пласте тепло будет располагаться в области впереди фронта горения, а размеры этой области будут максимальными. [5]
Величина Rn называется темпом ( скоростью) рекомбинации электронов и определяется уменьшением концентрации электронов в элементарном объеме в единицу времени вследствие рекомбинации. Темп генерации определяется увеличением концентрации электронов за счет теплового, ударного, оптического и других механизмов генерации. В условиях термодинамического равновесия рекомбинация электронов полностью уравновешивает их тепловую генерацию, поэтому Rn - Gn. Если нет ударной и оптической генерации, то генерация электронов возможна только за счет тепловой энергии. [6]
Через Nd здесь обозначена эффективная концентрация доноров, вычисленная с учетом компенсации. В стационарных условиях темпы генерации электронов с трехзарядных ионов золота ( gn) и захвата электронов двухзарядными ионами ( г) должны быть одинаковы. [7]
 |
Зависимость темпа генерации G от нормированной глубины генерационно-активной. Q. [8] |
С увеличением поверхностной концентрации дырок скорость поверхностной генерации уменьшается и зависимости С ( V) при достижении инверсионных потенциалов становятся неравновесными с четко выраженной точкой перегиба. Наконец, при достижении определенных зависящих от а напряжений темп объемной генерации возрастает настолько, что начинает уравновешивать скорость выведения основных носителей полем. [9]
 |
Зависимости Gp от обратной напряженности электрического поля на поверхности полупроводника Л 1, измеренные при температурах 297 ( 1, 230 ( 2 и 197 К ( 3, кремний р-типа, Na 2 3 1013 см-3. [10] |
Из рис. 5.26 видно, что при достижении определенных полей темп генерации дырок Gp начинает резко увеличиваться по закону, близкому к экспоненциальному. [11]
При этом среднее время жизни обратно пропорционально квадрату концентрации пар. Так как при радиационном инициировании избыточные носители генерируются равномерно по всему объему частиц, то увеличение темпа генерации, приводящее к уменьшению времени жизни нестабильных частиц, должно приводить к уменьшению средней длины диффузионного пробега, что, в свою очередь, обусловливает уменьшение доли носителей, рекомбинирующих на поверхностных уровнях. Это обстоятельство указывает на возможность появления отклонений от линейной зависимости скорости инициирования от мощности дозы облучения. Изложенные представления также показывают, что при анализе кинетики радиационной полимеризации на поверхности следует с известной степенью осторожности относиться к ставшим уже расхожими представлениям о независимости выхода инициирования от мощности поглощенной дозы. Ниже будут приведены экспериментальные результаты, подтверждающие высказанные соображения. [12]
Для определения поверхностных и объемных генерационных параметров необходимо выделить из экспериментально определяемого общего темпа генерации G поверхностную GS и объемную Gy составляющие. В связи с этим разделение Gs и Gy в кремниевых структурах МДП производится обычно в предположении, что темп объемной генерации GV пропорционален глубине генерационно-активной истощенной области, а локальные генерационные характеристики не зависят от координаты рассматриваемого элементарного объема в пределах неравновесной ОПЗ. Однако при этом возникает необходимость в уточнении самого понятия глубины генерационно-активной истощенной области. [13]
Равновесная концентрация носителей - концентрация свободных электронов и дырок в полупроводнике, обусловленная динамическим равновесием процессов их тепловой генерации и рекомбинации. Генерация носителей происходит благодаря тепловым колебаниям атомов кристалла полупроводника, причем вылет электрона из атома сопровождается появлением дырки, так что генерируются пары электрон - дырка. Темп генерации возрастает с повышением температуры. [14]
На радиусах, меньших критического, эффективность вихревого эффекта существенно снижается. По мере увеличения радиуса, начиная от нижнего критического, будет возрастать превышение генерации над диссипацией, которое реализуется в виде переноса турбулентности на другие радиальные позиции ( по отношению к месту зарождения) и в виде роста эффектов энергоразделения. Существует второй верхний критический радиус, при достижении которого вновь наступает равенство, а его превышение приводит к снижению темпа генерации сравнительно с диссипацией. При превышении оптимального значения радиуса камеры энергоразделения должно происходить снижение эффектов энергоразделения. При существенном росте диаметра камеры энергоразделения начинает падать концентрация крупномасштабных молей, вызванная снижением радиального градиента давления, что приводит к уменьшению генерации турбулентной энергии. В предельном случае при очень больших диаметрах почти вся генерируемая турбулентность - крупномасштабная, однако, существенно снижается ее концентрация, что негативно сказывается на числе реализуемых микрохолодильных циклов. [15]
Страницы: 1 2