Cтраница 2
Таким образом, при заданных, а, р и R скорость генерации носителей по глубине полупроводника различна. Скорость генерации О зависит сильно от коэффициента поглощения а. Поскольку коэффициент поглощения зависит от энергии излучения, темп генерации также различен для разных частот ( длин волн) падающего излучения. [16]
В образцах этой группы переходы в с-зону с верхнего уровня отсутствуют. При освещении квантами с 0 49 эв / zv 0 43 эв осуществляются переходы с уровня / / в с-зону, причем, так же как и для образцов группы / /, вначале, пока свободны уровни / / /, электроны из с-зоны в основном захватываются ими. Следовательно, идет интенсивный процесс перезарядки. В принципе в результате этого процесса, как уже подчеркивалось, могут изменяться как темп генерации, так и время жизни. Прямые опыты по измерению начальных стадий нарастания и спада фотопроводимости показали, что в противоположность образцам / / группы здесь перезарядка главным образом изменяет генерацию. В соответствии с увеличением темпа генерации кривая релаксации на рис. 136, в имеет медленно нарастающую компоненту. [17]
Вообще говоря, кривые характеризуются наличием быстрых и медленных участков релаксации. При этом в кривых для групп / и IV присутствует только быстрая составляющая. В кривых для групп / / и / / / при освещении наряду с быстрой имеется также и медленная составляющая. Наличие в релаксации двух компонент с разными временами объясняется следующим образом: кинетика примесной фотопроводимости в образцах / / и / / / групп определяется двумя параллельно идущими процессами. Освещение, с одной стороны, вызывает переходы электронов ( или дырок) в разрешенные зоны и появление неравновесной проводимости, величина которой определяется произведением темпа генерации на время жизни неравновесных носителей. Однако поскольку этот процесс сопровождается одновременным изменением заполнения уровней, то, с другой стороны, вдоль процесса релаксации происходит также изменение самих темпа генерации и времени жизни. [18]
В образцах этой группы переходы в с-зону с верхнего уровня отсутствуют. При освещении квантами с 0 49 эв / zv 0 43 эв осуществляются переходы с уровня / / в с-зону, причем, так же как и для образцов группы / /, вначале, пока свободны уровни / / /, электроны из с-зоны в основном захватываются ими. Следовательно, идет интенсивный процесс перезарядки. В принципе в результате этого процесса, как уже подчеркивалось, могут изменяться как темп генерации, так и время жизни. Прямые опыты по измерению начальных стадий нарастания и спада фотопроводимости показали, что в противоположность образцам / / группы здесь перезарядка главным образом изменяет генерацию. В соответствии с увеличением темпа генерации кривая релаксации на рис. 136, в имеет медленно нарастающую компоненту. [19]
Вообще говоря, кривые характеризуются наличием быстрых и медленных участков релаксации. При этом в кривых для групп / и IV присутствует только быстрая составляющая. В кривых для групп / / и / / / при освещении наряду с быстрой имеется также и медленная составляющая. Наличие в релаксации двух компонент с разными временами объясняется следующим образом: кинетика примесной фотопроводимости в образцах / / и / / / групп определяется двумя параллельно идущими процессами. Освещение, с одной стороны, вызывает переходы электронов ( или дырок) в разрешенные зоны и появление неравновесной проводимости, величина которой определяется произведением темпа генерации на время жизни неравновесных носителей. Однако поскольку этот процесс сопровождается одновременным изменением заполнения уровней, то, с другой стороны, вдоль процесса релаксации происходит также изменение самих темпа генерации и времени жизни. [20]
Подобно тому как галактическое радиоизлучение позволяет строить карту распределения ультрарелятивистских электронов и магнитных полей в Галактике, - излучение несет информацию о протонах космических лучей и об общем распределении межзвездного газа. Известно, что 7-излучение генерируется при распаде нейтральных пионов, тг, которые рождаются при столкновениях космических лучей с протонами и атомными ядрами межзвездного газа. При таких столкновениях рождаются пионы всех зарядов: тг, тг - и тг ( разд. Заряженные пионы превращаются в заряженные мюоны, которые в свою очередь распадаются на релятивистские электроны и позитроны. Нейтральные пионы практически сразу распадаются на два 7-кванта. Зная локальные физические условия в Галактике, можно рассчитать темп генерации 7-излучения теми механизмами, которые могут вносить существенный вклад в наблюдаемый поток у-квантов. Видно, что при энергиях, превышающих приблизительно 100 МэВ; распад тг - мезонов становится основным механизмом генерации у-излучения. [21]