Температура - корпус - транзистор
Cтраница 1
Температура корпуса транзистора измеряется на поверхности основания корпуса со стороны держателя. [1]
 |
Теплоотвод, выполненный склеиванием пластин. [2] |
Зависимость температуры корпуса транзистора от рассеиваемой мощности для двух положений теплоотвода: / - горизонтальное; 2 - вертикальное. [3]
Тк - температура корпуса транзистора, определяемая на основании теплотехнического расчета или экспериментальным путем. [4]
 |
Теплоотвод, выполненный литьем под давлением. [5] |
Зависимость температу - Зависимость температуры ры корпуса транзистора корпуса от рассеиваемой от рассеиваемой мощно - мощности для двух скорости для двух положений: тей воздушного потока: теплоотвода: / - гори - / - 1 5 м / сек; 2 - 3 0 м ] сек. [6]
На рис. 6 - 2 дана зависимость температуры корпуса транзистора от мощности рассеяния при использовании различных смазок. [7]
На графике рис. 6 - 3 дана зависимость температуры корпуса транзистора П210 от рассеиваемой мощности при наличии различных электроизоляционных прокладок. [8]
 |
Схемы параллельного включения транзисторов. [9] |
При применении мощных транзисторов необходимо обеспечивать правильный тепловой режим работы, чтобы температура корпуса транзистора была минимальной и не превышала допустимой. Превышение предельной температуры может привести к тепловому пробою р-п перехода. [10]
При применении мощных транзисторов необходимо обеспечивать правильный тепловой режим работы, чтобы температура корпуса транзисторов была минимальной и не превышала допустимую. Превышение предельной температуры может привести к тепловому пробою р-п перехода. Тепловой пробой возникает вследствие лавинообразного нарастания температуры р-п перехода. Во избежание теплового пробоя необходимо улучшать отвод тепла от транзистора. [11]
При применении мощных транзисторов необходимо обеспечивать правильный тепловой режим работы, чтобы температура корпуса транзистора была минимальной и не превышала допустимой. Превышение предельной температуры может привести к тепловому пробою р-п перехода. Тепловой пробой возникает вследствие лавинообразного нарастания температуры р-п перехода. Во избежании теплового пробоя необходимо улучшать отвод теплоты от транзистора. Правильный выбор теплового режима работы снижает интенсивность отказов транзисторов, а также обеспечивает стабильность выходных параметров аппаратуры. Обеспечение оптимального теплового режима работы транзисторов играет первостепенную роль при создании надежной аппаратуры. [12]
 |
Схема аэродинамической трубы для исследования. [13] |
На графике рис. 5 - 24 представлена схема аэродинамической трубы для исследования температуры корпуса транзистора от скорости набегающего воздушного потока. [14]
 |
Применяемые типы корпусов транзисторов. [15] |
Страницы: 1 2 3