Температура - корпус - транзистор
Cтраница 2
В правом столбце указаны типовые примеры максимальной мощности рассеяния, которых можно достичь при температуре корпуса транзистора 25 С. Эти экстремальные значения на практике обеспечить довольно трудно. [16]
Ввиду того что контакт между корпусом транзистора и радиатором имеет тепловое сопротивление, не равное нулю, температура корпуса транзистора всегда превышает температуру радиатора. Это снижает мощность, которую можно снять с транзистора, или заставляет увеличивать размеры, вес и стоимость радиатора. [17]
Ввиду того, что контакт между корпусом транзистора и радиатором имеет тепловое сопротивление, не равноэ нулю, температура корпуса транзистора всегда превышает температуру радиатора. Это снижает мощность, которую можно снять с транзистора, или заставляет увеличивать размеры. [18]
Транзисторы KD501 имеют допустимую мрщность рассеяния 65 Вт ( для двух транзисторов она составит 130 Вт) при температуре корпуса транзистора 100 С. При мощности 84 Вт перегрузка транзисторов еще пе наступает, но сами транзисторы, а также корпус и детали преобразователя будут нагреваться. [19]
 |
К расчету мощности, рассеиваемой основными конструктивными элементами усилителя мощности. [20] |
Ятис - Это состояние соответствует точке пересечения двух прямых, а ее координаты определяют допустимую мощность рассеяния на транзисторе и температуру корпуса транзистора при работе в заданных условиях. [21]
Транзисторы должны работать в аппаратуре при токах электродов, напряжениях на них, рассеиваемых ими мощностях и температуре окружающей среды ( или температуре корпуса транзистора), не превышающих предельных ( максимальных) величин, указанных на этикетках транзисторов, в технических условиях на них или справочниках. [22]
 |
Защита транзистора от лавинного пробоя при помощи ЛС-цепи ( а, шунтирующего. [23] |
С увеличением температуры корпуса транзистора границы ОБР, обусловленные тепловым пробоем, перемещаются влево. Границы ОБР, обусловленные лавинным или вторичным пробоем, практически от температуры не зависят. [24]
Пайка выводов допускается не ближе 5 мм от корпуса при температуре корпуса не более 100 С. При отсутствии контроля температуры корпуса транзистора пайка производится паяльником, нагретым до температуры не более 280 С в течение не более 2 5 с. Допускается пайка волной припоя. [25]
В последнюю очередь регулируют узел температурной защиты. Для этого включают блок под нагрузку, доводят температуру корпуса транзистора V77 до 80 С и вращают ручку резистора R2 до срабатывания узла. После остывания транзистора VU стабилизатор должен снова включиться. [26]
Уже сам по себе такой сквозной ток коллектора достаточно велик, а при повышенной температуре окружающего воздуха он становится опасным для транзистора. Объясняется это температурной зависимостью обратного тока коллектора / к 0: при повышении температуры корпуса транзистора на каждые 10 С ток / к 0 увеличивается вдвое. [27]
Точка на каждой кривой показывает положение теплового равновесия. Штриховые продолжения кривых соответствуют дополнительному подогреванию регулирующего транзистора от постороннего - источника тепла. Тепловое равновесие наступает при температуре корпуса транзистора V2, равной 125 С. [28]
В настоящее время промышленность США выпускает большое количество теплоотводов и охладителей различных типов, предназначенных для рассеивания тепла серийных транзисторов. Некоторые из них, надеваемые на корпус триода или диода с плотной посадкой, обеспечивающей хороший тепловой контакт, изготавливаются из бериллиевой бронзы. Другие служат для крепления на них полупроводников и, в свою очередь, имеют приспособления для крепления на монтажных платах или шасси. Как правило, в фирменных проспектах и паспортах на теплоотводы приводятся графики, характеризующие избыточную по отношению к окружающему воздуху температуру корпуса транзистора в зависимости от рассеиваемой мощности. [29]
С / мвт или С / ет), которое показывает превышение температуры коллектора над температурой окружающего воздуха Токр при рассеивании транзистором мощности в 1 мет или 1 вт. Для маломощных транзисторов, используемых без радиаторов, в справочниках указывают полное тепловое сопротивление, которое и надо подставлять в приведенную формулу. Мощные транзисторы, как правило, используются с дополнительным теплоотводом при помощи раз - пообразных радиаторов, которые позволяют резко уменьшить сопротивление теплоотдачи между корпусом транзистора и окружающим воздухом. Поэтому для мощных транзисторов часто указывают тепловое сопротивление самого транзистора на участке коллекторный переход - корпус. При этом также можно пользоваться приведенной формулой, если вместо Гокр подставлять в нее температуру корпуса транзистора ГКОрп, зависящую от свойств применяемого радиатора. [30]
Страницы: 1 2 3