Cтраница 1
Температура кристаллизации образцов была равна соответственно 76 65 и 75 5 С. [1]
Температура кристаллизации образца Tf на ординате при времени Zf определяется геометрическим построением. [2]
Температура кристаллизации образца Tf на ординате при времени Z / определяется геометрическим построением. [3]
Фактическая начальная: температура кристаллизации образца 2 2-диметилпропана, имевшегося в распоряжении Астона и Мессерли, равнялась - 17 85 С. [4]
![]() |
Кривая кристаллизации. [5] |
В - точка, в которой определяется температура кристаллизации образца. Из точки В проводится прямая BL, параллельная оси абсцисс, до пересечения с продолжением части кривой, показывающей охдаждение твердого вещества DE. [6]
![]() |
Кривые кристаллизации н-гептана различной степени чистоты. [7] |
В тех случаях, когда вещество кристаллизуется с переохлаждением, которое полностью уничтожить не удалось, точку, соответствующую температуре кристаллизации образца, определяют следующим образом. На рис. 32 приводится кривая кристаллизации толуола, кристаллизующегося с небольшим переохлаждением. [8]
В тех случаях, когда вещество кристаллизуется с переохлаждением, которое полностью уничтожить не удалось, точку, соответствующую температуре кристаллизации образца, определяют следующим образом. На рис. 32 приводится кривая кристаллизации толуола, кристаллизующегося с небольшим переохлаждением. D - точка начала площадки - не является точкой, которой соответствует темяература кристаллизации. Если переохлаждение невелико, порядка 0 5 - 2, как это имеет место у бензола ( рис. 30), толуола ( рис. 32) и других, точка на кривой, которую следует считать точкой начала кристаллизации, находится графической экстраполяцией. На рис. 32 это показано продолжением площадки DE до пересечения с кривой охлаждения жидкости АС в точке В. [9]
На рис. III.45 в качестве примера приведены термограммы плавления образца такого сополимера, содержащего 14 % винилацетата. Пик при температуре Т3, расположенной ниже температуры кристаллизации образца, вероятно, относится к плавлению кристаллов, сформировавшихся в процессе охлаждения после окончания изотермической кристаллизации. [11]
![]() |
Кривая кристаллизации ABCDE н-гексана. Расчет. [12] |
На рис. 34 дана кривая кристаллизации образца н-гексана, кристаллизующегося без переохлаждения. В - точка, в которой определяется температура кристаллизации образца. Из точки В проводится прямая BL, параллельная оси абсцисс, до пересечения с продолжением части кривой, показывающей охлаждение твердого вещества DE. Из точки F проводится прямая HF, параллельная LE до пересечения с кривой в точке Я. [13]
Без разрежения в рубашке сосуда большая разность температуры кристаллизации образца и температуры хладоагента приводит к очень быстрой кристаллизации, при которой трудно замерить площадку на кривой. [14]
На рис. 9.53 показано, как отличается теплоемкость образцов полиэтилена различной степени кристалличности ( выраженной в весовых долях) от теплоемкости, рас считанной на основании аддитивной схемы, исходя из теплоемкостей аморфного и кристаллического полимеров. Большая часть наблюдаемого превышения экспериментальной теплоемкости может быть связана с существованием рассмотренного выше равновесия между крис таллом и дефектным поверхностным слоем. Пока температура не пре вышает температуры кристаллизации образца или температуры его отжига, большая часть эндотермического вклада в теплоемкость обратима. [15]