Температура - мишень
Cтраница 1
 |
Тепловой приемник инфракрасного излучения. [1] |
Температура мишени измеряется с помощью миниатюрных термоэлектрических преобразователей 4, горячий спай 3 которых находится 2 в тепловом контакте с мишенью. [2]
При температуре мишени выше 600 С для грани ( 100) или выше 400 С для грани ( 111) В интенсивность пучков всех этих ионов становится неизмеримо малой. [3]
Такая конструкция позволяет менять температуру мишени в пределах от - 180 до 500 С. В ВЭИ-источник непрерывно напускаются пары исследуемого вещества, которые конденсируются на холодной поверхности подложки ( /), образуя пленку твердого вещества. Толщину пленки можно менять в довольно широких пределах, изменяя температуру подложки и давление паров в области источника. [4]
 |
Зависимость ко - пьшения зависит от свойств рас-эффициента распыления ми - пыляемого материала, от массы шени от энергии ионов и энергии бомбардирующих, ио. [5] |
Характерно, что значение коэффициента распыления практически не зависит от температуры мишени. [6]
На рис. 3 - 17 показан пример зависимости коэффициента распыления от температуры мишени для некоторых металлов. [8]
Доля примесных атомов в электрически активных положениях определяется массой легирующего иона, дозой облучения, температурой мишени в процессе легирования и температурой отжига. [9]
Так как мы интересуемся большими интенсивностями излучения ( режим волны испарения), то речь идет о температурах мишени Т1 10s К, чему соответствуют давления в нагретой области р 103 атм. Из последней цифры ясно, что образованная плазма будет быстро разлетаться и свойства окружающей газовой среды ( атмосферное давление или вакуум) несущественны, во всяком случае, на основном интервале времени существовании плазменного факела. Время, в течение которого разлетается плазма, размер, занимаемый плазмой, и, тем самым, скорость разлета плазмы впдны из экспериментальных данных, полученных методом теневого и скоростного фотографирования, а также по данным зондовых измерений. Первое, что видно из этих данных - масштаб времени. [10]
Переход поверхностного слоя мишени из кристаллического в аморфное состояние происходит под действием ионного облучения лишь в том случае, если температура мишени достаточно низка, и повреждения кристаллической решетки не восстанавливаются в результате отжига так же быстро, как и создаются. [11]
Так, при бомбардировке GaAs ионами Ne доза аморфизации возрастает от 5 - Ю14 до 1017 см 2 при изменении температуры мишени от 20 до 40 С. [12]
Эффективность процесса распыления зависит от многих факторов: от энергии бомбардирующих ионов, угла их падения на мишень, от свойства материала мишени, температуры мишени, величины давления распыляющего газа и др. Для количественной оценки эффективности процесса распыления используется специальный показатель, называемый коэффициентом распыления Кр. Он показывает, сколько распыляющих атомов в среднем приходится на один бомбардирующий мишень ион, и имеет размерность атом / ион. Коэффициент распыления характеризует скорость напыления пленки. Если давление рабочего газа не слишком высоко, то плотность разрядного тока, а следовательно, и скорость напыления увеличиваются с ростом давления. При значительном давлении скорость напыления начинает снижаться из-за увеличения числа столкновений распыленных частиц с молекулами рабочего газа, которое приводит к так называемой обратной диффузии распыляемых частиц на мишень, и вследствие перезарядки ионов в ускоряющем поле. Явление перезарядки заключается в том, что ион передает свой заряд нейтральному атому, а сам продолжает двигаться к мишени, но уже в нейтральном состоянии. Вновь образованный ион имеет только тепловую скорость, а следовательно, обладает энергией, недостаточной для распыления. Быстрые же нейтральные атомы в основном отражаются от катода. [13]
Методом ионного распыления можно получать пленки сложных материалов, таких как нержавеющая сталь, эваном, пермаллой или даже стекло пирекс, беч изменения их состава, если: температура мишени будет поддерживаться достаточно низкой; ионная бомбардировка подложки будет исключена; для всех компонентов распыляемого вещества коэффициенты прилипания к подложке и угловое распределение при испускании будут одинаковыми. [14]
Впоследствии было опубликовано большое число работ, описывающиж угловое распределение выбиваемых атомов для различных кристалличе-еких структур в зависимости от таких параметров, как масса и энергия бомбардирующих ионов, угол падения ионов и температура мишени. Так как данная книга посвящена тонким пленкам, а не ионному распылений, мы только резюмируем важные результаты исследований, а подробно их обсуждать не будем. Вообще наиболее предпочтительными направлениями выброса являются направления к узлам первой, а затем второй координационной сферы. Этот вопрос более подробно будет рассмотрен в гл. [15]
Страницы: 1 2 3