Температура - облучение
Cтраница 1
Температура облучения и нейтронный поток в канале быстрого реактора-размножителя изменяются как в аксиальном, так и в радиальном направлениях. Вследствие радиального изменения температуры оболочки твэлов могут испытывать различное распухание, что ведет к различному изгибу твэлов в сборке к концу кампании. Предполагается, что эта проблема может быть решена путем периодической перестановки твэлов. Кроме того, реактор постепенно выводится на номинальный режим, возможны остановки и работа реактора в нестационарном режиме, вследствие чего поры, зародившиеся и выросшие при одной температуре, затем будут расти или сокращаться при другой температуре. [1]
Температура облучения оказывает здесь - влияние, так как при достижении ею некоторого, определенного для каждого металла и сплава предела, несовершенства их кристаллической решетки, вызванные облучением, снижаются. [2]
 |
Зависимость прира. [3] |
Если температура облучения превышает 40 С, оптическая плотность пленки изменяется больше, чем при температуре 20 - 40 С. [4]
Влияние температуры облучения на радиационный рост циркония, исследованное в основном на отожженных образцах, незначительно в большом интервале температуры облучения. Оценка температурного эффекта в общем случае осложняется наличием дозной зависимости радиационного роста. [6]
Повышение температуры облучения снижает эффект роста модуля. [7]
Рост температуры облучения до 400 - 500 С снижает рассматриваемый эффект, а экстремум вырождается. [8]
Повышение температуры облучения снижает как абсолютную величину усадки, так и соответствующую ей дозу, подобно тому как это имеет место у графита CSF. Вторичный рост при температуре 550 - 600 С происходит более интенсивно, и его уровень достигает 16 % после облучения флюенсом 2 - Ю22 нейтр. [10]
Повышение температуры облучения от 150 до 800 С и выше вызывает рост скоплений смещенных атомов до размеров, соизмеримых с размерами кристаллитов. Возникает, по существу, дополнительная плоскость в решетке графита, представляющая собой краевую дислокацию. Размеры такой дислокационной петли увеличиваются в результате захвата диффундирующих атомов. [11]
 |
Относительное изменение объема &. V / V высокоплотной окиси бериллия в зависимости от флюенса нейтронов при различных температурах. [12] |
Увеличение температуры облучения образцов уменьшает рост их объема. [13]
Повышение температуры облучения эластомеров приводит к возрастанию подвижности их макромолекул, а также увеличению скорости диффузии содержащихся в них низкомолекулярных веществ. [14]
При температуре облучения 50 концентрация радикалов СвН13 увеличивается вследствие отрыва водорода первичными алкильными радикалами. Различия в энергии связей С - Н и С-D проявляются лишь в случае легких алкильных радикалов, возникающих при этих разрывах. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5