Температура - облучение
Cтраница 3
 |
Определение температуры [ IMAGE ] Изменение относительного облучения по отжигу алмаза расширения объема кристаллической. [31] |
Когда температура отжига становится выше температуры облучения, расширение Да / а, вызванное облучением, начинает уменьшаться. [32]
Этот эффект растет с повышением температуры облучения. [33]
Может быть использовано для измерения температуры облучения изменение твердости закаленных сталей под влиянием температуры аи времени выдержки. Предварительные испытания этих индикаторов дали положительные результаты, однако есть опасения, что диапазон измерений может быть ограничен небольшими флюенсами нейтронов. [34]
Таким образом, с ростом температуры облучения до 400 - 450 С наблюдается резкое снижение скорости распухания образцов в направлении перпендикулярном к оси продавливания. Размерные изменения изотропных и анизотропных марок графита в этом температурном интервале для направления, параллельного оси продавливания, имеют различный знак. В интервале 400 - 800 С температура облучения не так резко влияет на скорость сжатия графита. Выше 800 С сжатие резко увеличивается. [36]
При облучении образцов в негерметичных ампулах температура облучения контролируется по температуре теплоносителя на входе и выходе из активной зоны или технологического канала. [37]
 |
ИК-спектры плет i - до 6poi. [38] |
Радиационный выход двойных связей зависит от температуры облучения. При низкой температуре образуются одиночные двойные связи. При комнатной температуре реакция дегидрохлорирования имеет цепной характер и в результате этой реакции образуется система сопряженных двойных связей. [39]
Интенсивность деструктивных процессов также зависит от температуры облучения: с повышением ее облегчается выход из клетки концов цепи и тем самым увеличивается вклад деструкции и образования разветвленных структур. [40]
Радиационно-химический выход этой реакции зависит от температуры облучения. При низкой температуре ( минус 130 - минус 196 С) образуются преимущественно изолированные двойные связи. [41]
ШУЛИ тяжелого гексана, то для температур облучения - 80 и 50 шлучается точная прямая линия. При температуре облучения 50 концентрация радикалов С6Н13 увеличивается вследствие отрыва водорода первичными алкильными радикалами. Различия в энергии связей С - Н и С-D проявляются лишь в случае легких алкильных радикалов, возникающих при этих разрывах. [42]
Увеличение объема зависит от вязкости при температуре облучения. [44]
Из сказанного следует, что при температуре облучения - 60 С распухание бериллия не связано с появлением в нем трещин и газовых пузырьков, а является твердым и соответствует твердому-2 случаю. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5