Температура - вплавление
Cтраница 1
 |
Образование перехода вплавлением индия в германий.| Фронт вплавления индия в германий при быстром подъеме температуры. [1] |
Температура вплавления выбирается из следующих противоречивых требований. Чтобы получить хороший угол смачиваемости, температура вплавления согласно рис. 6 - 9 должна быть около 700 - 800 С. [2]
Температура вплавления выбирается в зависимости от глубины рекристаллизации и толщины напыляемого слоя. На рис. 11 показана зависимость отношения глубины вплавления х к толщине напыляемого слоя / от температуры. [3]
Температура вплавления определяется глубиной рекристаллизации и толщиной напыленного слоя. [4]
 |
Допустимое время выдержки температуры при вплавле-нии в кристалл легирующих примесей. [5] |
На рис. 7.12 показаны величины макс в зависимости от температуры вплавления для ряда систем полупроводник - вплавляемая примесь. [6]
При изготовлении триодов п-р - п типа высокое давление пара примесных элементов при температуре вплавления обусловливает некоторую диффузию их в полупроводник из паровой фазы. В этом случае при помощи предварительного травления снимают приповерхностный слой полупроводника с высокой проводимостью, который может образоваться. [7]
Величина Y на рисунках обозначает процентное содержание Ga в сплавах InGa и SnGa; Т - температура вплавления сплава. [8]
В низкотемпературном процессе можно осуществлять хороший двухмерный контроль, причем глубина рекристаллизованного слоя очень хорошо определяется как температурой вплавления, так и величиной загрузки. [9]
 |
Кассета для вплавления контактов. [10] |
Высушенные в сушильных шкафах германиевые пластинки вместе с заготовками сплава загружаются в специальные кассеты, изготовленные из плотного мелкозернистого графита, который не смачивается металлами при температурах вплавления. [11]
Обычный диапазон температур вплавления индия в германий лежит в пределах 400 - 500 С. [12]
Для получения узкого p - n - перехода применяется метод вплавле-ния примесей. Время и температуру вплавления выбирают возможно меньшими, чтобы исключить процессы диффузии. Кроме того, примесь должна быть с малым коэффициентом диффузии. Диффузионное проникновение примесей на глубину до 10 А при общей ширине перехода 100 - 150 А считается приемлемым. Важную роль играет и время остывания. Если оно выбрано слишком большим, то это может повлечь дополнительное расширение перехода за счет диффузии примесей. При быстром охлаждении переход получается более узким, а рекристаллизованная область оказывается более легированной. [13]
Узкий p - n - переход получают методом вплавления примесей. Время и температуру вплавления выбирают возможно меньшими, чтобы исключить процессы диффузии. Кроме того, примесь должна быть с малым коэффициентомч диффузии. Диффузионное проникновение примесей на глубину до 10А при общей ширине перехода 100 - 150А считается приемлемым. Важную роль играет и время охлаждения. Если оно выбрано слишком большим, то это может повлечь за собой дополнительное расширение перехода из-за диффузии примесей. При быстром охлаждении переход получается более узким, а рекристаллизованная область - более легированной. [14]
Температура вплавления выбирается из следующих противоречивых требований. Чтобы получить хороший угол смачиваемости, температура вплавления согласно рис. 6 - 9 должна быть около 700 - 800 С. [15]
Страницы: 1 2