Температура - вплавление
Cтраница 2
Вплавление эмиттерной и коллекторной навесок производят в защитной атмосфере. В зависимости от материала выбирается и температура вплавления. При производстве сплавных триодов сейчас применяют два метода вплавления: кассетный и бескассетный. Кассета обеспечивает центровку всех деталей. При бескассетном методе вплавления эмиттерную и коллекторную навески припрессовывают к пластинке полупроводника. Бескассетный метод обеспечивает хорошую центровку переходов и лучшее их качество. [16]
Из элементов V группы для этих целей больше всего подходит сурьма. Однако сурьма имеет большую упругость пара и при температуре вплавления быстро улетучивается. [17]
Были опробованы сплавы индий-олово, индий-свинец, свинец - серебро - индий и олово - серебро - индий. Корреляции между температурой вплавления и эффективностью инжекции до сих пор обнаружено ие было. [18]
Вплавление эмиттерной и коллекторной навесок производят в защитной атмосфере. Материал навесок выбирают в зависимости от того, какого типа переход следует получить ( ем. В соответствии с материалом выбирают и температуру вплавления. Кассета обеспечивает центровку деталей. [19]
 |
Конструкции сплавных маломощных транзисторов. [20] |
Вплавление эмиттерной и коллекторной навесок производят в защитной атмосфере. Материал навесок выбирают в зависимости от того, какого типа переход следует получить ( см. § В. В соответствии с материалом выбирают и температуру вплавления. [21]
Факторы, определяющие ширину базового слоя. Ввиду большого влияния ширины базового слоя на предельную частоту триода, пробивное напряжение и усиление по току очень важно уметь управлять этим параметром в процессе изготовления приборов. Ширина базового слоя зависит в основном от толщины исходной пластинки, массы вплавляемого материала, площади электродов и температуры вплавления. [22]
Рассматривая индивидуальное влияние каждого члена приведенного выше уравнения, легко видеть, что изменение толщины исходных пластинок в пределах 1 5 мк соответствует такому же отклонению параметра AW и, следовательно, изменению предельной частоты от 5 6 до 8 4 Мгц. Изменение температуры вплавле-ния коллектора на 5 С вызывает примерно такое же изменение предельной частоты. Так как эмиттерный переход вплавляется при температуре на 50 С ниже, чем коллекторный, то в связи с меньшей растворимостью германия в индии при такой температуре колебания температуры вплавления эмиттера в пределах 5 С изменяют предельную частоту в диапазоне примерно от 6 до 8 Мгц. Разброс радиусов смачиваемой поверхности коллекторного или эмиттерного перехода на 13 мк вызывает изменение предельной частоты от 5 5 до 8 5 Мгц. Сильнее всего влияют на ширину базового слоя колебания радиуса заготовок из индия: изменение радиуса сферической заготовки на 7 5 мк соответствует здесь изменению предельной частоты в диапазоне примерно от 5 5 до 9 Мгц как в случае коллектора, так и эмиттера. Суммируя эти отклонения отдельных переменных, получим, что максимально возможный разброс & W равен 11 2 мк, а статистически контролируемые пределы составляют 4 5 мк. [23]
Туннельные диоды изготавливаются из германия, кремния и арсенида галлия. Наиболее перспективным материалом является арсенид галлия. Узкий р-и-переход получают методом вплавле-ния примесей. Для исключения процессов диффузии время и температуру вплавления, а также время остывания выбирают возможно меньшими. [24]
Перед вплавлением монокристалл и легирующий материал должны быть очищены от всех поверхностных пленок. Соприкасающиеся поверхности должны быть плоско отшлифованы, отполированы и протравлены. Глубина вплавления зависит от количества расплавляемого материала, угла смачивания, температуры плавления легирующего материала, температуры вплавления и скорости охлаждения. [25]
Страницы: 1 2