Температура - полупроводниковый элемент
Cтраница 1
 |
Электрическая схема замещения вентиля для изучения тепловых характеристик. [1] |
Температура полупроводникового элемента ( температура электронно-дырочного перехода) связана с температурой окружающей среды соотношениями, подобными тем, которые применяются в электрических цепях, содержащих сопротивления и емкости. [2]
Температуру полупроводникового элемента в данной схеме измеряют следующим образом. Вначале прибор предварительно калибруют. Для этого вентиль или тиристор помещают в термостат и выдерживают в нем при определенной температуре в течение времени, достаточного для прогрева полупроводникового элемента до заданной температуры. [3]
Для измерения температуры полупроводникового элемента существует ряд методов, использующих температурную зависимость тех или иных параметров приборов. Наиболее часто применяют импульсный метод, основанный на температурной зависимости падения напряжения на вентиле или тиристоре ири малых прямых токах. Этот метод позволяет измерять изменения температуры за небольшие промежутки времени. [4]
 |
Зависимости со - где Т - температура, К. /. - условное противлении терморезк - сопротивление терморезистора при Т оо. [5] |
В зависимости от способа управления температурой полупроводникового элемента терморезисторы подразделяют на два класса - прямого и косвенного подогрева. [6]
Наибольшая кратковременная температура, представляющая собой кратковременное повышение температуры полупроводникового элемента при аварийных режимах и в моменты коммутации, может превышать максимальную рабочую температуру. [7]
 |
Семейство вольт-амперных характеристик терморезистора косвенного подогрева. [8] |
Инерционность терморезисторов косвенного подогрева определяется как постоянной времени установления температуры полупроводникового элемента за счет тепла, выделяемого при прохождении через него тока, так и постоянной времени установления температуры за счет тепла в обмотке подогрева. [9]
 |
Конструкция терморезисторов с косвенным подогревом.| Семейство вольт-амперных характеристик терморезистора косвенного подогрева. [10] |
Инерционность терморезисторов косвенного подогрева определяется как постоянной времени установления температуры полупроводникового элемента за счет тепла, выделяемого при прохождении через него тока, так и постоянной времени установления температуры за счет тепла в обмотке подогрева. Действие тока подогрева на электрические параметры терморезистора аналогично действию температуры окружающей среды. [11]
Терморезисторы делятся на два больших класса в зависимости qr способа управления температурой полупроводникового элемента: с прямым и косвенным подогревом. [12]
Рассчитанная по выражению (2.27) мощность потерь позволяет при известном тепловом сопротивлении определить температуру полупроводникового элемента для данного способа охлаждения. Температура не должна превышать предельно допустимого значения для данного типа прибора, так как только в этом случае можно обеспечить стабильность электрических параметров транзистора, устойчивость и надежность его работы. [13]
 |
Зависимость относительного.| Зависимость относительного значения допустимого тока. [14] |
Уменьшение тока нагрузки при частотах порядка 15 Гц и менее обусловлено значительными колебаниями температуры полупроводникового элемента относительно средней величины. [15]
Страницы: 1 2