Температура - полупроводниковый элемент
Cтраница 2
Механические напряжения возникают в процессе сплавления и пайки элементов силовых полупроводниковых приборов, а также при изменении температуры полупроводникового элемента прибора, работающего в циклическом режиме. При циклическом режиме соотношение между длительностью включенного и выключенного состояний может быть самым разнообразным и прибор периодически нагревается и охлаждается. [16]
Поэтому среднее значение тока при уменьшении угла проводимости необходимо снижать по сравнению с номинальной величиной, так как пиковая температура полупроводникового элемента не должна превышать максимально допустимого значения. [17]
Из уравнения (6.1) видно, что эффективность теплоотвода зависит от теплопроводности материала термокомпенсирующих прокладок, контактов, корпуса и охладителя, разности температур полупроводникового элемента и поверхности охладителя, величины теплопроводящей поверхности и конструкции корпуса прибора и охладителя. [18]
 |
Схема для снятия прямых ( а ных значений тока от мгно-и обратных ( б ветвей в. а. х. вентиля венных значений напряжения. Такую характеристику. [19] |
Параметры, определяемые при исследовании статической в. Этд обусловлено тем, что температура полупроводникового элемента прибора, работающего в преобразователе электрического тока ( инверторе, выпрямителе), практически не изменяется, так как рабочая точка прибора проходит по всей в. Вследствие того что ток и напряжение на приборе обладают значительной температурной зависимостью, это приводит к ощутимым погрешностям измерения. [20]
Повторное приложение напряжения допускается только после того, как температура полупроводникового элемента станет равной или меньше максимально допустимого значения. [21]
 |
Конструкция силового тиристора с керамической крышкой. [22] |
В результате температурные коэффициенты линейного расширения компаунда и медного основания становятся близкими. Кроме того, такие компаунды приобретают хорошую теплопроводность, вследствие чего температура полупроводникового элемента понижается на 20ч - 30 С по сравнению с обычными приборами. Это объясняется увеличением теплоотдачи от полупроводникового элемента из-за того, что теплопроводность компаунда с заполнителем в 30 - ь40 раз больше-теплопроводности воздуха во внутреннем объеме вентиля, герметизированного крышкой. [23]
 |
Конструкция полупроводникового болометра [ IMAGE ] Схема включения болометра. [24] |
Обычно порог чувствительности определяется как мощность излучения, вызывающая на входе болометра сигнал, равный среднеквадратичному напряжению шумов. Действительно, порог чувствительности определяется в первую очередь собственными шумами болометра, а также колебаниями тока, напряжения и температуры полупроводникового элемента. [25]
Найденная таким образом величина Т является усредненной за период. Поэтому она является заниженной, так как при расчете не учитываются экстремальные значения мощности потерь, которые могут привести к значительным повышениям температуры полупроводникового элемента в короткие промежутки времени. [26]
Однако увеличение тока управляющего электрода в момент включения приводит к повышению мощности потерь, выделяющейся вокруг управляющего электрода. Кроме того, импульс управления обычно имеет небольшую длительность по сравнению с периодом повторения силовых импульсов. Поэтому для расчета экстремальных температур полупроводникового элемента следует определять не среднее значение мощности потерь, а ее мгновенные значения. [27]
При этом в качестве выходного параметра принимается температура полупроводниковой структуры, а в качестве входного возмущения - импульсы мощности потерь. Применение теории импульсных систем для расчета тепловых режимов дает возможность определять температуру полупроводникового элемента при воздействии любого из последовательности импульсов. При использовании такой методики отпадает необходимость в аппроксимации импульсов произвольной формы прямоугольными, что повышает точность расчета. [28]
При включении силовых полупроводниковых приборов в электрическую цепь в них выделяется мощность потерь, которая преобразуется в тепловую энергию, вызывающую нагрев полупроводникового элемента. Мощность потерь пропорциональна току, проходящему через прибор. Поэтому нагрузочная способность силовых полупроводниковых приборов ограничивается величиной тока, при которой выделяющаяся тепловая энергия вызывает нагрев полупроводникового элемента до температуры, не превышающей максимально допустимого значения. Следовательно, определение допустимой нагрузочной способности силового прибора сводится к нахождению температуры полупроводникового элемента. [29]
Страницы: 1 2