Эпитаксиальная температура
Cтраница 1
Эпитаксиальная температура при росте кремния на грани ( 100) ниже, чем на плоскости ( 111); после осаждения нескольких слоев при tK 420 С вид исходной электронограммы не меняется, а при tK 320 С ухудшение структуры при росте незначительно. Даже при комнатной температуре в этом случае образуется не аморфная фаза, а промежуточная кристаллическая структура. [1]
 |
Структура поверхности пленок кремния толщиной 25 - 800 мк, выросших при закрытом иодидном процессе на плоскостях ( 111 и ( ЮО подложки ( X 200. а ( Н1. б ( 100. [2] |
Причины неодинаковой эпитаксиальной температуры в разных работах понятны, ибо при оптимальных условиях роста монокристальные слои образуются при тем более низкой температуре, чем чище подложка и используемые химические вещества и чем совершеннее поверхность кристаллизации. [3]
Оказывается, что кривая эпитаксиальной температуры смещается и в зависимости от напряжения или тока распыления. Видно, что тенденция к повышению эпитаксиальной температуры с ростом скорости осаждения сохраняется. Отличие между указанными зависимостями состоит в повышении эпитаксиальной температуры с увеличением тока и уменьшением напряжения. [4]
Иона [227] сообщил о еще более низких эпитаксиальных температурах в случае образования 4 - 5 монослоев кремния в вакууме 10 - 10 мм рпг. [5]
Во-первых, оба фактора, повышающие эпитаксиальную температуру при данной скорости роста, - увеличение тока или уменьшение напряжения - соответствуют условию повышения давления. [6]
Действительно, в работах [19, 79, 80] наблюдалось снижение эпитаксиальной температуры при катодном распылении но сравнению с термическим испарением. [7]
Это выражение согласуется с выведенным эмпирически соотношением, учитывающим влияние давления на эпитаксиальную температуру. [8]
Подводя итоги, можно сделать вывод, что в широком интервале экспериментальных условий роста пленок германия, полученных как испарением, так и распылением, эпитаксиальная температура определяется лишь скоростью роста и давлением газов. [9]
Чопра [74] наблюдал подобный эффект при приложении к подложке в процессе конденсации поперечного электрического поля около 100 в / см. Кроме того, в этом случае происходило понижение эпитаксиальной температуры, связанное, по-видимому, с увеличением поверхностной подвижности атомов, а также улучшение совершенства структуры и уменьшение электрического сопротивления пленок. [10]
 |
Зависимость скорости роста. [11] |
На этом графике существуют четко ограниченные области монокристальности, поликристалличности и аморфности конденсированных пленок. Ясно, что эпитаксиальная температура зависит от скорости конденсации гораздо сильнее, чем температура перехода из аморфного состояния в кристаллическое. Изменение других экспериментальных условий - расстояния от испарителя до конденсатора и температуры испарения - мало влияет на рассматриваемую зависимость. Таким образом, скорость конденсации оказывается важнейшим параметром, определяющим эпитак-сиальную температуру. [12]
В первом случае монокристальные пленки относительно плохого качества, содержащие двойники роста, образуются на плоскости скола ( 111) при tK 920 С; во втором растут только поликристаллические конденсаты. По изложенным раньше причинам эпитаксиальная температура ( 920 С при эпитаксии Ge / BaF2), видимо, несколько завышена, хотя ее величина должна быть больше, чем при росте германия на флюорите, которая по тем же данным равна 590 С. [13]
Оказывается, что кривая эпитаксиальной температуры смещается и в зависимости от напряжения или тока распыления. Видно, что тенденция к повышению эпитаксиальной температуры с ростом скорости осаждения сохраняется. Отличие между указанными зависимостями состоит в повышении эпитаксиальной температуры с увеличением тока и уменьшением напряжения. [14]
Характерно, что энергия активации изменяется заметнее у конденсированных пленок и менее четко у пленок, полученных распылением; это соответствует как температурам перехода ( штриховые линии на рис. 3.35, 3.36) из одного состояния в другое, так и дифракционным картинам соответствующих структур. Это также согласуется с теоретическими представлениями Уол-тона [206], который определял эпитаксиальные температуры по пересечению двух кривых скоростей роста в области образования монокристальных и поликристаллических слоев. В данном случае это сделать невозможно, так как в последней области скорость роста изменяется нелинейно. [15]
Страницы: 1 2