Cтраница 2
Хотя условия получения пленок указанными двумя методами сильно отличаются, в первую очередь из-за разного давления газов при росте, сопоставление зависимостей эпитаксиальных температур от скорости конденсации представляет определенный интерес. На рис. 3.33 приведены такие зависимости для вакуумных конденсатов германия и пленок, полученных распылением при давлениях 8 и 25 мк рт. ст. Независимо от способа получения пленок эпита-ксиальная температура тем ниже, чем ниже давление инертного газа. [16]
Они показывают, что структура пленок зависит от предварительной откачки системы. Низкая эпитаксиальная температура ( - 150 С) соответствует предварительной откачке до 10 - 9 ммрт. При начальном давлении более 10 - 7 мм рт. ст. в этих условиях образуются поликристаллические пленки. [17]
Оказывается, что кривая эпитаксиальной температуры смещается и в зависимости от напряжения или тока распыления. Видно, что тенденция к повышению эпитаксиальной температуры с ростом скорости осаждения сохраняется. Отличие между указанными зависимостями состоит в повышении эпитаксиальной температуры с увеличением тока и уменьшением напряжения. [18]
Шалла и др. [179] показали, что полированная поверхность CaF2 дает на электронограмме диффузные рефлексы и должна быть, по их мнению, аморфной. Лишь после высокотемпературного отжига при 920 или 1025 С кристалличность поверхности восстанавливается. Именно с этим обстоятельством, а не с изменением ориентации связано резкое возрастание эпитаксиальной температуры. С, в то время как на плоскости скола ( 111) CaF2 монокристальная, но не очень совершенная пленка растет при tK 590 С. [19]