Cтраница 2
В сильных полях, кроме осцилля-ционных эффектов, можно наблюдать ориентационные. Так, меняя ориентацию кристалла и измеряя различные компоненты тензора сопротивления, можно обнаружить открытые траектории движения электронов ( см. рис. 141) по сильному увеличению поперечного магнетосопротивле-ния при некоторых определенных ориентациях поля. [16]
В настоящей работе сообщается о некоторых новых удивительных явлениях при переносе электронов двумерной системы с высокой подвижностью в гетеропереходах GaAs - AlG. Мы установили, что при температурах Т 5 К диагональная часть р тензора сопротивления имеет небольшой провал при и 1 / 3, который становится более глубоким с понижением температуры. Указанные свойства напоминают квантованное холловское сопротивление и состояние с нулевым сопротивлением, ожидаемые исключительно для целочисленных значений и. Это согласуется с представлением о том, что образование вигнеровского кристалла или волны зарядовой плотности с треугольной симметрией происходит предпочтитель-но при и 1 / 3, когда площадь элементарной ячейки пронизывается целым числом квантов магнитного потока. [17]
Сопротивление вдоль оси у растет пропорционально квадрату магнитного поля. По этому признаку определяют, что ферми-поверхность открыта в одном направлении. Недиагональные компоненты тензора сопротивления в (43.34) и (43.36) изменяются в магнитном поле противоположным образом. [18]
Значительно большее влияние в этой области частот оказывают магнитные нелинейности, к-рые могут менять С. Их действие проявляется при условии WJJT 1, где шн еН / тс - циклотронная частота носителей. Зависимость диагональных компонент сопротивления р от Я ( маенетосопротивление) аналогична влиянию электрич. Недиагональные компоненты тензора сопротивления ( см. Холла, эффект) наиб, ярко проявляются в нестационарной задаче о проникновении в плазму постоянного магп. [19]