Теория - зона
Cтраница 1
Теория зон Бриллюэна и электронные состояния в кристаллах. [1]
Теория зон указывает на то, что электроны, принадлежащие кристаллу как целому, свободно движутся внутри его. [2]
Теория зон Бриллюэна и электронные состояния в кристаллах. [3]
Теория зон Брнлдюэна и электронные состояния в кристаллах. [4]
Теория зон Бриллюэна и электронные состояния в кристаллах. [5]
 |
Поведение отдельных кристаллов продукта реакции при растяжении. [6] |
Теории зоны взаимодействия основаны на представлениях о концентрации упругих напряжений, возникающей у концов трещин в реакционной зоне. Пластическое течение матрицы или волокна существенно изменяет напряженное состояние. [7]
Как теория зон объясняет быстрый, рост проводимости полупроводников с температурой. [8]
Согласно теории зон Баррера16 перенос молекулы газа может происходить в том случае, если количество тепловой энергии становится достаточным для разделения цепей в соответствующей зоне. [9]
Вообще говоря, теории зоны взаимодействия предсказывают постоянство прочности и деформации разрушения композита, если развитие реакции не достигло критического уровня. По достижение такого уровня прочность и деформация разрушения начинают уменьшаться - сначала быстро, а затем все медленнее, пока эти параметры ре достигнут более низких постоянных значений при втором критическом уровне развития реакции. Хотя оба критических уровня зависят и от других факторов, например, от свойств волокна и матрицы, деформация разрушения, отвечающая второму плато, согласно теории, зависит лишь от свойств соединения, образовавшегося в зоне взаимодействия. Детально исследованы были только трд системы; для двух из них были подучены экспериментальные значения деформации, которые оказались в очень хорошем согласии с теорией. [10]
Теория переходного состояния и теория зон предполагают нелинейность зависимости In D f ( l / T) в отличие от экспоненциального уравнения. [11]
 |
Изменение уровней энергии электронов в кристалле при сжатии. [12] |
Авторы излагают основные результаты теории зон в кристаллах применительно к данному случаю. Как известно, в изоляторах несколько нижних разрешенных энергетических зон, заполненных электронами, отделены большой запретной энергетической щелью от следующих свободных зон. При сжатии разрешенные энергетические зоны расширяются и сами зоны поднимаются вверх, как это показано на рисунке. При этом происходит пересечение верхнего уровня энергии занятой зоны с нижним уровнем свободной зоны, и кристалл становится проводником. [13]
Предполагается, что читателям известна теория зон Френеля из общего курса физики. [14]
Известно, что на основании теории зон была установлена характерная черта почти всех металлических решеток, заключающаяся в том, что самые низкие энергетические состояния последующей зоны обладают меньшей энергией, чем наивысшее энергетическое состояние предыдущей зоны. Кривые распределения электронов по различным энергетическим состояниям, как следует из теории зон, перекрываются и имеют ряд подъемов и спадов. Каждая кристаллическая решетка определяет характерный вид кривой распределения электронов по различным энергетическим состояниям, и для данного числа электронной концентрация-электронная энергия для одной решетки меньше, чем для дрдгой. Последнее дает возможность установить, какая из этих ршиеток бмл е устойчивая, поскольку это касается энергии электронов. [15]
Страницы: 1 2 3