Теория - молекулярное поле
Cтраница 1
Теория молекулярного поля ( ТМП) дает верную качественную картину некоторых важных свойств ферромагнетика, а именно: предсказывает существование спонтанной намагниченности, объясняет ее температурную зависимость, высокотемпературный ход восприимчивости и теплоемкость. [1]
Качественно теория молекулярного поля подтверждает этот результат, связывая его, как видно из формул (4.1.6) и (4.1.10), с наличием взаимодействия с ионами второй координационной сферы, и указывает на то, что обменное взаимодействие со второй координационной сферой, как правило, отрицательно. [2]
Применение теории молекулярного поля к ферримагнетикам также рассмотрим на примере двухподрешеточной коллинеарной магнитной структуры. В случае ферримагнетика магнитные подре-шетки уже не являются, конечно, эквивалентными. Предположим, что взаимодействия внутри подрешеток имеют ферромагнитный характер, а взаимодействие между подрешетками - антиферромагнитный. [3]
 |
Распргделение ионов Fe3 по А - и В-узлам в ферритах. [4] |
В рамках теории молекулярного поля записана система уравнений для описания межподрешеточных обменных взаимодействий в марганцевом феррите. [5]
Теперь рассмотрим теорию молекулярного поля в ферромагнетике. [6]
После вводного рассмотрения теории молекулярного поля в магнетиках и вопроса о критической точке перехода газ-жидкость мы обращаемся к переходу электронная жидкость-электронный кристалл. Затем на базе представления о фононах рассматривается структурная неустойчивость, включая так называемые мягкие моды; в последних при некотором волновом векторе частота фонона становится очень малой. Она связана с изучением электронных состояний, некоторые характеристики которых оказываются такими же, как в одномерных системах. Затем говорится об одномерных проводниках в связи с эффектами электрон-фононного взаимодействия и переходом Пайерлса. [7]
Расчет проводился в приближении, аналогичном теории молекулярного поля, с учетом биквадратного обмена как для суммарной намагниченности, так и для парциальных намагниченностей подрешеток; взаимодействия А - А и В - В при этом не принимались во внимание. [8]
Хотя, как мы видели, теория молекулярного поля не позволяет получить точные значения критических индексов, она все же правильно определяет тип перехода. [9]
Это предполагаемое равенство (3.22) справедливо в теории молекулярного поля и двумерной модели Изинга; однако оно не согласуется с численными расчетами, проведенными на основе трехмерной модели Изинга. [10]
Известно [.], что в терминах теории молекулярного поля обменное взаимодействие внутри доменов эквивалентно действию внутреннего ( молекулярного) намагничивающего поля Н - - цУ эрстед. [11]
Простейшее описание А, дает феноменологии, теория молекулярного поля. В случае двух подрешеток с на-магпиченностями Ма и Мь можно ввести эффективные молекулярные поля, действующие на магн. [12]
Спиновые резонансы в различных структурах в рамках теории молекулярного поля описываются однотипным образом. Особенности магнитного резонанса в ферримагнетиках и антиферромагнетиках обусловлены существованием двух и более магнитных под-решеток. Рассмотрим случай относительно малых полей, когда подрешетки ферримагнетика находятся в антипараллельном состоянии. Для простоты рассмотрим двухподрешеточную модель и, как и раньше, будем считать, что межподрешеточное обменное взаимодействие является основным и внутриподрешеточными взаимодействиями по сравнению с основным можно пренебречь. [13]
Теоретически данная проблема решается методами спин-волновой теории, теории молекулярного поля и зонной электронной теории. Во всех теоретических работах рассматриваются плоские, совершенные, монокристаллические пленки неограниченных размеров с плоскопараллельными поверхностями. В спин-волновой теории Клейна - Смита используются периодические граничные условия, которые применяются для массивных образцов, в то же время при суммировании по всем спиновым волнам, которое проводится при вычислении М, член соответствующий однородной моде ( k 0), опускается, так как при его наличии получается некорректная расходимость, отсутствующая в случае массивного образца. В более поздних работах указывается, что вместо периодических граничных условий должны быть выбраны специальные граничные условия на обеих поверхностях пленки для спиновых волн, направление распространения которых перпендикулярно плоскости пленки. Дивергенция, связанная с членом k 0, исчезает, если предположить, что присутствует внешнее поле или поле анизотропии, что всегда наблюдается в эксперименте. Улучшенная теория предсказывает, что при уменьшении d намагниченность не будет уменьшаться, пока d не достигнет значений, меньших 30 A ( NiFe); первоначальная теория предсказывала значительно большую величину пороговой толщины. Несмотря на то, что с помощью спин-волнового приближения был достигнут значительный прогресс, Валента предпринял попытку развить теорию тонких пленок, использовав представление молекулярного поля Гейзенберга. В этом представлении пленка разделялась на слои атомов, параллельные подложке, и между атомами в одном слое и ближайшими соседями в других слоях находились магнитные взаимодействия. В согласии со спин-волновой теорией эта теория дает малое изменение М в зависимости от d, за исключением случая тончайших пленок. Данным методом можно вычислять М при высоких температурах ( и, следовательно, рассчитывать температуру Кюри), что невозможно сделать с помощью ранних спин-волновых теорий. Совсем недавно для вычислений М был применен сложный метод функций Грина, преимуществом которого является применимость для любых температур; при вычислениях по этому методу сталкиваются с математическими трудностями. Имеются попытки создать теорию зависимости М от толщины пленки, основанную на электронной зонной теории магнетизма. [14]
Из (2.3.21) наиболее ярко видна эквивалентность теории Гей-зенберга и теории молекулярного поля Вейсса. Но в теории Гей-зенберга уже получен правильный порядок величины /, который определяется величиной интеграла обмена между соседними атомами металла. [15]
Страницы: 1 2 3 4