Теория - граничный слой
Cтраница 1
Теория граничного слоя объясняет также фотоадсорбцию: при освещении поверхности плотность электронов в граничном слое может меняться, что приводит к увеличению или уменьшению адсорбции в зависимости от типа полупроводника. [1]
Поскольку теория граничного слоя находится в стадии разработки, необходимо проведение широкого комплекса экспериментальных исследований по изучению особенностей строения и свойств этих слоев. [2]
Хотя теория граничного слоя, выдвинутая Хауффе [ 351 и Эгреном [1], имела много защитников, Сандомирский [61], Грей [27-31] и другие исследователи неоднократно подчеркивали, что исходные постулаты этой теории необоснованны. Кажущееся качественное согласие, достигнутое в некоторых интерпретациях, ничего не дает для обоснования модели. Допущение чисто ионной связи и полное пренебрежение более слабым частичным электронным взаимодействием не может быть принято, поскольку Кларк [17, 18] показал, что в действительности именно более слабые состояния имеют первостепенное значение в катализе. Волькен-штейн [80-84] подчеркивает, что предположение приверженцев теории граничного слоя о том, что электронный энергетический уровень обусловлен адсорбированными частицами, полностью лишает смысла саму концепцию локализованного поверхностного состояния, способного захватывать или отдавать электроны. [3]
Хауффе распространил хемосорбционную теорию граничного слоя на каталитические реакции и показал, каким образом положение уровня Ферми может влиять на реакции, в которых четко выявляется стадия, лимитирующая скорость. В теории катализа на полупроводниках, предложенной Волькенштейном, которая охватывает более широкий круг явлений, чем концепция граничного слоя, положение уровня Ферми также рассматривается как самый главный фактор в хемосорбции и катализе на окислах. Обе эти теории изложены в превосходных обзорах, написанных самими авторами для предыдущих томов настоящего издания [67, 68], и обе они сыграли очень большую роль в выяснении значения электронного фактора в катализе на окислах. [4]
Основной экспериментальный факт, обсуждаемый в теории граничного слоя, состоит в том, что предельная сорбция многих веществ на поверхности полупроводниковых адсорбентов действительно не превышает часто 1 - 5 % от многослойного заполнения. [5]
Теория этого явления известна под названием теории граничного слоя. [6]
 |
К формули. [7] |
В основу рассмотрения явления конвективной диффузии положена теория диффузионного граничного слоя, которую разделяют большинство ученых Советского Союза. [8]
В основу рассмотрения явления конвективной диффузии положена теория диффузионного граничного слоя. Согласно этой теории ( рис. 11.11), распределяемое вещество переносится из ядра потока жидкости к границе раздела фаз непосредственно потоками жидкости и молекулярной диффузией. [9]
В данной главе не приводятся механизмы каталитических реакций, использующие теорию граничного слоя, так как эти представления применимы только к тому преобладающему виду хемосорбции, который приводит к общему заряжению поверхности, но их трудно использовать в катализе, если ускорение реакции связано только с одним из нескольких видов хемосорбционных процессов. [10]
Хотя имеется много систем [34], для которых, по-видимому, справедливо уравнение ( 17) и другие предсказания теории граничного слоя, в настоящее время чувствуется, что создатели этой теории сделали слишком большой упор на чисто физическую модель явления хемосорбции. Такой подход преуменьшает важность химических характеристик, связанных с полупроводниками и металлическими поверхностями. [11]
Liverpool University): Хемосорбция заключается в образовании химических связей, причем химические связи могут быть самых различных типов. Теория граничного слоя заслуживает всяческой похвалы, поскольку она успешно трактует образование одного частного типа связи. Однако с точки зрения всего того, что известно в настоящее время о валентности, неразумно ожидать, чтобы все виды хемосорбции укладывались в одни и те же довольно узкие теоретические рамки. Окончательно следует сказать, что каталитические свойства твердых тел могут быть столь же разнообразными, как и химические свойства неорганических комплексов. [12]
В статье Хауффе разбирается развитая автором и другими исследователями теория граничного поверхностного слоя, являющаяся отдельным направлением внутри электронной теории катализа и служащая для объяснения процессов на поверхности твердого тела - полупроводника с точки зрения зонной модели. Теория граничного слоя использована Хауффе для описания разложения закиси азота, окисления окиси углерода и разложения - спиртов на полупроводниках. Однако, как показал Ф. Ф. Волькенштейн, в расчетах Хауффе содержатся неточности. [13]
В теории граничного слоя [114, 232, 267, 269] рассматриваются условия равновесия двух фаз, содержащих электроны, вытекающ1е гнеойходймостй-равенства электрохимических потенциалов в обеих фазах. Электронные переходы при адсорбции, с этой точки зрения, должны вызывать уменьшение концентрации носителей тока в граничном слое с возникновением в нем объемного заряда, что приводит к необходимости преодоления все более высокого потенциального барьера цри последующих переходах. Вейсса [191] следует, что при определенных видах адсорбционной связи возможно лишь незначительное покрытие поверхности адсорбированным слоем. [14]
Специальные методы решения таких задач были развиты Вайнштейном ( метод Винера - Хопфа), Уфимцевым и некоторыми другими учеными. Особо следует отметить теорию граничного слоя. [15]
Страницы: 1 2